[发明专利]半导体功率器件的终端结构、半导体功率器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201711299151.1 | 申请日： | 2017-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN108063159B | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 上海芯龙半导体技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京艾皮专利代理有限公司 11777 | 代理人： | 冯铁惠 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体功率器件、半导体功率器件的终端结构及其制作方法。所述半导体功率器件的终端结构包括N型衬底、形成于所述N型衬底上的第一层N型外延、形成于所述第一层N型外延表面的第一P型注入区、形成于所述第一层N型外延及所述第一P型注入区上的第二层N型外延、形成于所述第二层N型外延表面与所述第一P型注入区对应的第二P型注入区、形成于所述第二层N型外延层表面的第三P型注入区、贯穿所述第二P型注入区及其下方的第二层N型外延并延伸至所述第一P型注入区中的沟槽、形成于所述沟槽表面的P型扩散层、及形成所述P型扩散层表面且所述沟槽中的多晶硅，其中，所述第二P型注入区的深度大于所述第三P型注入区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 功率 器件 终端 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体功率器件的终端结构，其特征在于：所述终端结构包括N型衬底、形成于所述N型衬底上的第一层N型外延、形成于所述第一层N型外延表面的第一P型注入区、形成于所述第一层N型外延及所述第一P型注入区上的第二层N型外延、形成于所述第二层N型外延表面与所述第一P型注入区对应的第二P型注入区、形成于所述第二层N型外延层表面的第三P型注入区、贯穿所述第二P型注入区及其下方的第二层N型外延并延伸至所述第一P型注入区中的沟槽、形成于所述沟槽表面的P型扩散层、及形成所述P型扩散层表面且所述沟槽中的多晶硅，其中，所述第二P型注入区的深度大于所述第三P型注入区。
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