[发明专利]特征尺寸微缩方法及应用于半导体存储器的结构

摘要

本发明提供了一种光刻方法，包括：提供一衬底；在衬底上形成表面光刻层，表面光刻层包括具有第一特征尺寸的光刻图案；在光刻图案的侧壁表面覆盖尺寸微缩覆盖物，表面光刻层和尺寸微缩覆盖物组合成具有第二特征尺寸的微缩图案；按照第二特征尺寸刻蚀衬底；其中，微缩图案用于遮护衬底的上表面中不用于刻蚀图案的表面，第二特征尺寸小于第一特征尺寸且对准在第一特征尺寸中。按照微缩图案中的第二特征尺寸刻蚀衬底，使得光刻的曝光极限进一步缩小，提高特征尺寸的精确度，进而缩小动态随机存取存储器的特征尺寸，同时降低制程成本，缩短制程时间。本发明还提供了一种特征尺寸微缩结构，具有上述技术效果。

主权项

1.一种特征尺寸微缩方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底上形成表面光刻层，所述表面光刻层包括具有第一特征尺寸的光刻图案；在所述光刻图案的侧壁表面覆盖尺寸微缩覆盖物，所述表面光刻层和所述尺寸微缩覆盖物组合成具有第二特征尺寸的微缩图案；按照所述第二特征尺寸刻蚀所述衬底；其中，所述微缩图案用于遮护所述衬底的上表面中不用于刻蚀图案的表面，所述第二特征尺寸小于所述第一特征尺寸且对准在所述第一特征尺寸中。