[发明专利]利用承载气体进行磷化物原位注入合成的方法有效
| 申请号： | 201711298581.1 | 申请日： | 2017-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN108358180B | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 孙聂枫;王书杰;刘惠生;孙同年 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | C01B25/08 | 分类号： | C01B25/08 |
| 代理公司： | 石家庄众志华清知识产权事务所(特殊普通合伙) 13123 | 代理人： | 王苑祥 |
| 地址： | 050000 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用承载气体进行磷化物原位注入合成的方法，涉及半导体晶体的合成方法，步骤A、通过承载气体进气管向炉体内通入惰性保护气体；步骤B、对炉体内的坩埚进行加热使坩埚内预合成的原料熔化；步骤C、通过承载气体进气管向炉体内通入加热后的惰性保护气体；步骤D、将装载有红磷的磷源炉向下移动直至磷源炉上的注入管没入熔体中；步骤E、磷源炉对红磷进行加热并产生磷气体，磷气体与惰性保护气体混合后通过注入管注入到熔体中，磷气体与熔体反应生成磷化物；步骤F、合成完毕后关闭各装置。本发明通过在合成过程中，通过承载气体进气管通入惰性保护气体使得磷气体平稳的注入熔体，防止挥发元素气体被完全吸收后熔体倒吸入磷源炉。 | ||
| 搜索关键词： | 惰性保护气体 磷气体 磷源 熔体 承载 进气管 磷化物 合成 加热 体内 注入管 红磷 坩埚 半导体晶体 合成过程 挥发元素 熔体反应 向下移动 原料熔化 预合成 倒吸 装载 吸收 | ||
【主权项】：
1.一种利用承载气体进行磷化物原位注入合成的方法，其特征在于包括以下步骤：步骤A、通过承载气体进气管（5）向炉体（1）内通入惰性保护气体，当检测到炉体（1）内压力达到预定压力时停止通入惰性保护气体；步骤B、对炉体（1）内的坩埚（2）进行加热使坩埚（2）内预合成的原料熔化，直至达到磷化物合成所需的温度；步骤C、通过承载气体进气管（5）向炉体（1）内通入承载气体，同时打开并调节承载气体排气管（6）使承载气体的注入量与气体的流出量相等；步骤D、将装载有红磷的磷源炉（4）向下移动直至磷源炉（4）上的注入管（4‑4）没入熔体中并下降至接近坩埚（2）底部；步骤E、磷源炉（4）对红磷进行加热并产生磷气体，磷气体与承载气体混合后通过注入管（4‑4）注入到熔体中，磷气体与熔体反应合成磷化物；步骤F、合成完毕后，先将磷源炉（4）缓慢提起并关闭磷源炉（4）、后停止向炉体（1）内通入承载气体，最后停止对坩埚（2）的加热；步骤A中的承载气体进气管（5）与磷源炉（4）相通，惰性保护气体经承载气体进气管（5）和磷源炉（4）进入炉体（1）内。
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