[发明专利]利用承载气体进行磷化物原位注入合成的方法有效

专利信息
申请号: 201711298581.1 申请日: 2017-12-08
公开(公告)号: CN108358180B 公开(公告)日: 2019-08-02
发明(设计)人: 孙聂枫;王书杰;刘惠生;孙同年 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
主分类号: C01B25/08 分类号: C01B25/08
代理公司: 石家庄众志华清知识产权事务所(特殊普通合伙) 13123 代理人: 王苑祥
地址: 050000 *** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 惰性保护气体 磷气体 磷源 熔体 承载 进气管 磷化物 合成 加热 体内 注入管 红磷 坩埚 半导体晶体 合成过程 挥发元素 熔体反应 向下移动 原料熔化 预合成 倒吸 装载 吸收
【权利要求书】:

1.一种利用承载气体进行磷化物原位注入合成的方法,其特征在于包括以下步骤:

步骤A、通过承载气体进气管(5)向炉体(1)内通入惰性保护气体,当检测到炉体(1)内压力达到预定压力时停止通入惰性保护气体;

步骤B、对炉体(1)内的坩埚(2)进行加热使坩埚(2)内预合成的原料熔化,直至达到磷化物合成所需的温度;

步骤C、通过承载气体进气管(5)向炉体(1)内通入承载气体,同时打开并调节承载气体排气管(6)使承载气体的注入量与气体的流出量相等;

步骤D、将装载有红磷的磷源炉(4)向下移动直至磷源炉(4)上的注入管(4-4)没入熔体中并下降至接近坩埚(2)底部;

步骤E、磷源炉(4)对红磷进行加热并产生磷气体,磷气体与承载气体混合后通过注入管(4-4)注入到熔体中,磷气体与熔体反应合成磷化物;

步骤F、合成完毕后,先将磷源炉(4)缓慢提起并关闭磷源炉(4)、后停止向炉体(1)内通入承载气体,最后停止对坩埚(2)的加热;

步骤A中的承载气体进气管(5)与磷源炉(4)相通,惰性保护气体经承载气体进气管(5)和磷源炉(4)进入炉体(1)内。

2.根据权利要求1所述的利用承载气体进行磷化物原位注入合成的方法,其特征在于在步骤A中预定压力大于所要合成化合物熔体所需的离解压。

3.根据权利要求1所述的利用承载气体进行磷化物原位注入合成的方法,其特征在于在步骤C中向炉体(1)内通入的承载气体的温度为850℃-900℃。

4.根据权利要求1所述的利用承载气体进行磷化物原位注入合成的方法,其特征在于在步骤C中通过设置在炉体(1)内的承载气体加热装置(13)对承载气体进行加热、加热后的承载气体温度为850℃-900℃,所述承载气体进气管(5)与承载气体加热装置(13)相通,所述承载气体加热装置(13)与磷源炉(4)相通,惰性保护气体和承载气体经承载气体进气管(5)、承载气体加热装置(13)和磷源炉(4)进入炉体(1)内。

5.根据权利要求1所述的利用承载气体进行磷化物原位注入合成的方法,其特征在于在步骤C中承载气体排气管(6)排出的气体通入装载有高纯冷却水的磷吸收器(12)中。

6.根据权利要求1所述的利用承载气体进行磷化物原位注入合成的方法,其特征在于所述惰性保护气体和所述承载气体是氩气或者氮气。

7.根据权利要求1-6任一项所述的利用承载气体进行磷化物原位注入合成的方法,其特征在于所述坩埚(2)设置在所述炉体(1)的炉腔的底部、在所述坩埚(2)外设有坩埚加热装置(3)、在炉体(1)和坩埚加热装置(3)间设有保温装置(15),所述磷源炉(4)位于坩埚(2)上方,在所述炉体(1)上设有承载气体进气管(5)和承载气体排气管(6),所述承载气体进气管(5)穿过炉体(1)与所述磷源炉(4)相通,所述承载气体排气管(6)与所述炉体(1)的炉腔相通。

8.根据权利要求7所述的利用承载气体进行磷化物原位注入合成的方法,其特征在于所述磷源炉(4)的结构中包括固体磷装载器(4-1)、位于所述固体磷装载器(4-1)外的保温套(4-2)、设置在所述保温套(4-2)内的加热丝(4-3)以及连通固体磷装载器(4-1)与坩埚(2)内熔体的注入管(4-4)。

9.根据权利要求8所述的利用承载气体进行磷化物原位注入合成的方法,其特征在于在所述承载气体进气管(5)上设有承载气体加热装置(13),所述承载气体加热装置(13)位于炉体(1)的炉腔内,所述承载气体加热装置(13)的结构中包括具有承载气体加热保温腔(13-2)的承载气体加热管(13-1)、设置在所述承载气体加热管(13-1)上的承载气体加热丝(13-3)以及连通所述承载气体加热管(13-1)内与所述磷源炉(4)的承载气体注入管(13-4)。

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