[发明专利]至本体接触的多晶栅极延伸源极有效
| 申请号： | 201711291704.9 | 申请日： | 2017-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN108231867B | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 约翰·J·艾利斯-蒙纳翰 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L21/18 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭露至本体接触的多晶栅极延伸源极，其涉及半导体结构，尤其涉及至本体接触结构的多晶栅极延伸源极及其制法。该结构包括具有一掺杂区的一衬底；在该掺杂区上面的一栅极结构，该栅极结构具有一主体及一栅极延伸区；以及一本体接触区，其跨越该栅极延伸区并远离该栅极结构的该主体。 | ||
| 搜索关键词： | 本体 接触 多晶 栅极 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种结构，其包含：具有一掺杂区的一衬底；在该掺杂区上面的一栅极结构，该栅极结构具有一主体及一栅极延伸区；以及一本体接触区，其跨越该栅极延伸区并远离该栅极结构的该主体。
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