[发明专利]至本体接触的多晶栅极延伸源极

权利要求书

1.一种半导体结构，其包含：

具有一第一掺杂类型的一掺杂本体区的一衬底；

在该第一掺杂类型的该掺杂本体区上面的一栅极结构，该栅极结构具有包含一第二掺杂类型的一主体及包含该第一掺杂类型的一栅极延伸区；以及

一本体接触区，其跨越该栅极延伸区并远离该栅极结构的该主体。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中，该本体接触区为形成于该栅极结构的源极侧上面的一P+本体接触扩散区。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其中，该栅极结构的该主体为用于一设计规则的最小尺寸。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其中，该本体接触区不重迭该栅极结构的一通道区。

5.如权利要求4所述的半导体结构，其中，该栅极结构的一通道宽度在该主体下保持不变。

6.如权利要求4所述的半导体结构，其中，该本体接触区跨越该栅极延伸区的一末端。

7.如权利要求6所述的半导体结构，其中，该本体接触区在一浅沟槽隔离区内延伸。

8.如权利要求6所述的半导体结构，其中，该本体接触区全部在该衬底的该第一掺杂类型的该掺杂本体区内，其远离该栅极延伸区的一末端。

9.如权利要求8所述的半导体结构，其中，该栅极延伸区在一浅沟槽隔离区内延伸。

10.如权利要求6所述的半导体结构，其中，该本体接触区全部在该衬底的该第一掺杂类型的该掺杂本体区内，其在该栅极延伸区的该末端上面。

11.如权利要求1所述的半导体结构，其中，该栅极延伸区在该栅极结构的两个主体之间延伸而形成一H型本体，以及该本体接触区在该两个主体之间共享。

12.一种半导体结构，其包含：

具有一掺杂阱区的一绝缘体上覆半导体衬底；

形成于该掺杂阱区上的一栅极结构，该栅极结构包括具有宽度不变的一通道的一主体、以及从该主体延伸的一栅极延伸区；

在该栅极结构的该主体的第一侧上的一源极区以及在该栅极结构的该主体的一第二侧上的一漏极区；以及

一扩散接触本体区，其抵接该栅极结构邻接该通道的该源极区，并跨越该栅极结构的该栅极延伸区及远离该通道。

13.如权利要求12所述的半导体结构，其中，该栅极延伸区具有大于一最小迭对的一宽度。

14.如权利要求12所述的半导体结构，其中，该栅极延伸区具有与一最小微影通道长度一样小的一长度。

15.如权利要求12所述的半导体结构，其中，该扩散接触本体区在该阱区内跨越该栅极延伸区。

16.如权利要求12所述的半导体结构，其中，该扩散接触本体区部份地在该阱区外跨越该栅极延伸区。

17.如权利要求12所述的半导体结构，其中，该扩散接触本体区与该通道的间隔大于一微影迭对。

18.如权利要求12所述的半导体结构，其中，该栅极结构为一多指绝缘体上覆半导体结构，其中，相邻指状物的栅极延伸区连结在一起，以及该扩散接触本体区在该多指绝缘体上覆半导体结构的相邻指状物之间共享。

19.如权利要求12所述的半导体结构，其中，该栅极结构为一多指绝缘体上覆半导体结构，其中，相邻指状物的栅极延伸区互相分离，以及该扩散接触本体区在该多指绝缘体上覆半导体结构的相邻指状物之间共享。

20.一种半导体结构制造方法，其包含：

在一衬底上形成一栅极结构，该栅极结构经形成具有在一通道区上面的一主体以及从该主体延伸的一栅极延伸区；

形成扩散区于该通道区的相对两侧上；以及

在该主体的该扩散区中的一者上面且在该栅极结构的源极侧上面形成一本体接触扩散区，其远离该通道区并跨越该栅极延伸区。