[发明专利]至本体接触的多晶栅极延伸源极

说明书

本发明揭露至本体接触的多晶栅极延伸源极，其涉及半导体结构，尤其涉及至本体接触结构的多晶栅极延伸源极及其制法。该结构包括具有一掺杂区的一衬底；在该掺杂区上面的一栅极结构，该栅极结构具有一主体及一栅极延伸区；以及一本体接触区，其跨越该栅极延伸区并远离该栅极结构的该主体。

技术领域

本发明涉及半导体结构，尤其涉及至本体接触结构的多晶栅极延伸源极及其制法。

背景技术

绝缘体上覆硅(silicon on insulator；SOI)技术在制造半导体时使用取代习知硅衬底的层状硅–绝缘体–硅衬底，特别是微电子装置。此层状结构减少寄生装置电容，从而改善效能。

随着SOI技术在微电子工业持续变得越来越盛行，因此亟须一种简单又有成本效益的方法建立具有低栅极电容及小面积的至本体接触装置的源极。例如，通常SOI中的本体接触装置由于通道宽度变化而有大栅极电容或高变化度。事实上，SOI中至本体接触装置的源极的目前所用设计增加昂贵的加工步骤，寄生栅极面积结构(例如，t型本体 /h型本体/u型本体)，或有高宽度允差(L型本体)的结构，这些都是缺点。

发明内容

在本发明的一方面中，一种结构包含：具有一掺杂区的一衬底；在该掺杂区上面的一栅极结构，该栅极结构具有一主体及一栅极延伸区；以及一本体接触区，其跨越该栅极延伸区并远离该栅极结构的该主体。

在本发明的一方面中，一种结构包含：具有一掺杂阱区的一绝缘体上覆半导体(SOI)衬底；形成于该掺杂阱区上的一栅极结构，该栅极结构包括具有宽度不变的一通道的一主体、以及从该主体延伸的一栅极延伸区；在该栅极结构的该主体的第一侧上的一源极区以及在该栅极结构的该主体的一侧上的一漏极区；以及一扩散接触本体区，其抵接该栅极结构邻接该通道的该源极区，并跨越该栅极结构的该栅极延伸区及远离该通道。

在本发明的一方面中，一种方法包含：在一衬底上形成一栅极结构，该栅极结构经形成具有在一通道区上面的一主体以及从该主体延伸的一栅极延伸区；形成扩散区于该通道区的相对两侧上；以及在该主体的该扩散区中的一者上面形成一本体接触扩散区，其远离该通道区并跨越该栅极延伸区。

附图说明

以下说明详述本发明，其中参考多个附图以不具限定性的方式举例说明本发明的示范具体实施例。

图1A及图1B是根据本发明的数个方面的结构及各自的制程；

图2是根据本发明的数个方面的一替代结构；

图3是根据本发明的数个方面的一替代结构；

图4是根据本发明的数个方面的一替代结构；

图5是根据本发明的数个方面的多指结构；

图6为习知装置与本文所述装置的比较曲线图。

符号说明：

10、10'、10”、10”'、10”” 结构

12 衬底或SOI衬底

14 栅极、栅极结构或多晶栅极

14' 栅极延伸区

14” 主体

14”' 末端

16a 源极区或掺杂区

16b 漏极区

18 本体接触、P+本体植入扩散或掺杂区

18'、18”、18”'、18”” 本体接触

20 接触

22 浅沟槽隔离区