[发明专利]静态随机存取存储（SRAM）器件及其相关的制造方法和系统有效
| 申请号： | 201711291141.3 | 申请日： | 2017-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN109427688B | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 黄诗涵;谢志宏 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8244 | 分类号： | H01L21/8244;H01L27/11 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了静态随机存取存储(SRAM)器件及其相关的制造方法和系统。在衬底上方形成多个栅极堆叠件。通过介电结构围绕栅极堆叠件。在介电结构上方形成多个接触线阻挡图案。使用三个或多个光刻掩模形成接触线阻挡图案。在介电结构中形成多个沟槽。接触线阻挡图案用作介电结构的保护掩模，以防止在介电结构的位于接触线阻挡图案下方的部分中形成沟槽。用导电材料填充沟槽以形成SRAM器件的多条接触线。 | ||
| 搜索关键词： | 静态 随机存取 存储 sram 器件 及其 相关 制造 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种制造静态随机存取存储(SRAM)器件的方法，包括：在衬底上方形成多个栅极堆叠件，其中，介电结构围绕所述多个栅极堆叠件；在所述介电结构上方形成多个接触线阻挡图案，其中，使用三个或多个光刻掩模来形成所述多个接触线阻挡图案；在所述介电结构中形成多个沟槽，其中，所述多个接触线阻挡图案用作所述介电结构的保护掩模，以防止在所述介电结构的位于所述多个接触线阻挡图案下方的部分中形成所述多个沟槽；以及用导电材料填充所述沟槽以形成所述静态随机存取存储器件的多条接触线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
