[发明专利]一种氧化镓X射线探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种氧化镓X射线探测器及其制备方法，属于半导体器件制造领域。本发明要解决以硅、锗、CdTe和CdZnTe等半导体作为x射线探测器，由于材料带隙较小，对环境温度敏感、抗辐射特性弱，限制了在太空领域的应用的技术问题。本发明探测器以氧化镓单晶为基体，所述氧化镓单晶的上表面设置有接触电极和Pt/Au工作电极，下表面设置有ITO/Ti/Au工作电极，Pt/Au工作电极的顶部和ITO/Pt/Au工作电极的底部与外接电路通过连接引线连接；通过沉积制备。本发明的氧化镓x射线探测器可在室温工作，也可耐受高压，并在严苛环境下工作。

主权项

1.一种氧化镓X射线探测器，其特征在于所述探测器以氧化镓单晶为基体，所述氧化镓单晶的上表面设置有接触电极和Pt/Au工作电极，下表面设置有ITO/Ti/Au工作电极，Pt/Au工作电极的顶部和ITO/Ti/Au工作电极的底部与外接电路通过连接引线连接，接触电极接地；所述接触电极和Pt/Au工作电极的横截面呈“回”字形，且Pt/Au工作电极设置在接触电极内，从下至上，接触电极和Pt/Au工作电极是由沉积在氧化镓单晶上表面的铂层和金层构成；从上至下，ITO/Ti/Au工作电极是由依次沉积在氧化镓单晶的下表面的ITO薄膜、钛层和金层构成。