[发明专利]一种氧化镓X射线探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 201711286493.X | 申请日： | 2017-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN108039391A | 公开（公告）日： | 2018-05-15 |
| 发明（设计）人： | 矫淑杰;李少方;张峻华;高世勇 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | H01L31/115 | 分类号： | H01L31/115;H01L31/032;H01L31/036;H01L31/18 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 张金珠 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 射线 探测器 及其 制备 方法 | ||
1.一种氧化镓X射线探测器，其特征在于所述探测器以氧化镓单晶为基体，所述氧化镓单晶的上表面设置有接触电极和Pt/Au工作电极，下表面设置有ITO/Ti/Au工作电极，Pt/Au工作电极的顶部和ITO/Ti/Au工作电极的底部与外接电路通过连接引线连接，接触电极接地；
所述接触电极和Pt/Au工作电极的横截面呈“回”字形，且Pt/Au工作电极设置在接触电极内，从下至上，接触电极和Pt/Au工作电极是由沉积在氧化镓单晶上表面的铂层和金层构成；
从上至下，ITO/Ti/Au工作电极是由依次沉积在氧化镓单晶的下表面的ITO薄膜、钛层和金层构成。
2.根据权利要求1所述的一种氧化镓X射线探测器，其特征在于所述氧化镓单晶体基体横截面为边长为2-5mm的正方形，氧化镓单晶的厚度为300～1000μm。
3.根据权利要求2所述的一种氧化镓X射线探测器，其特征在于所述Pt/Au工作电极中铂层的厚度为20～100nm，金层的厚度为200～500nm。
4.根据权利要求3所述的一种氧化镓X射线探测器，其特征在于所述ITO/Ti/Au工作电极中ITO薄膜的厚度为10～100nm，钛层的厚度为20～100nm，金层的厚度为200～500nm。
5.如权利要求1-4任意一项权利要求所述的一种氧化镓X射线探测器的制备方法，其特征在于所述制备方法是按下述步骤进行的：
步骤一、在氧气气氛下，将氧化镓单晶退火，依次在丙酮、乙醇中超声处理后用去离子水冲洗，用氮气吹干；
步骤二、然后在氧化镓单晶的一侧依次沉积ITO薄膜(氧化铟锡导电薄膜)，再在真空状态下退火；
步骤三、然后在氧化镓单晶上，与ITO薄膜相对的一侧用掩膜版覆盖，再依次沉积铂层和金层，形成接触电极和Pt/Au工作电极；
步骤四、然后在ITO薄膜之上沉积钛层和金层，形成ITO/Ti/Au工作电极；
步骤五、然后在氮气保护下退火；
步骤六、将接触电极接地，将Pt/Au工作电极和ITO/Ti/Au工作电极与外接电路通过连接引线连接，即获得氧化镓X射线探测器。
6.根据权利要5所述的一种氧化镓X射线探测器的制备方法，其特征在于步骤一退火温度为700℃～1000℃，退火时间为1h～10h。
7.根据权利要5所述的一种氧化镓X射线探测器的制备方法，其特征在于步骤二退火温度为700℃～1000℃，退火时间为1h～5h。
8.根据权利要5所述的一种氧化镓X射线探测器的制备方法，其特征在于步骤五退火温度为350℃～400℃，退火时间为0.5h～2h。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工业大学，未经哈尔滨工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711286493.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种数据处理系统及数据处理方法
- 下一篇：一种降摩减损轴承
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
