[发明专利]熔融沉积制备锂带的方法有效
| 申请号： | 201711285261.2 | 申请日： | 2017-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN108075107B | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 曹乃珍;邹崴;李娇;刘强;陈欣;詹彬鑫;徐川;高洁;钟兆资;党春霞 | 申请（专利权）人： | 天齐锂业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/1395 | 分类号： | H01M4/1395;H01M10/058 |
| 代理公司： | 成都希盛知识产权代理有限公司 51226 | 代理人： | 武森涛 |
| 地址： | 629200 四川省遂宁*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及熔融沉积制备锂带的方法，属于锂带的制备技术领域。本发明解决的技术问题是提供熔融沉积制造锂带的方法。该方法具体步骤为：S0：设置沉积目标值，输入初始的控制参数值；S1：通过控制参数控制，进行熔融沉积；S2：对熔融沉积出的锂膜进行实时监测，得监测值；S3：将监测值与沉积目标值比对，如果不满足要求，则执行S4步骤，如果满足要求，则执行S5步骤；S4：根据锂膜厚度及控制参数进行逻辑运算，修正控制参数值后，依次进行S1～S3步骤；S5：继续熔融沉积，得到超薄锂带。本发明采用模型控制化的金属熔融沉积技术制备锂带，在铜箔上沉积出平整均匀，厚度可控的超薄锂带。该方法原料利用率高、设备成本较小、适用于自动化批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 熔融 沉积 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.熔融沉积制备锂带的方法，其特征在于：采用铜箔为基底，在铜箔上熔融沉积金属锂，具体步骤为：S0：设置沉积目标值，输入初始的控制参数值，所述控制参数为锂液温度、涂头出锂量、铜箔传送速率和铜箔温度；S1：通过控制参数来控制，进行熔融沉积；S2：对熔融沉积出的锂膜进行实时膜层监测，得到监测值；S3：将监测值与沉积目标值进行比对，如果不满足要求，则执行S4步骤，如果满足要求，则执行S5步骤；S4：根据监测值以及控制参数进行逻辑运算，得到修正的控制参数值，并将S1步骤的控制参数修改为修正的控制参数值；依次进行S1～S3步骤；S5：继续熔融沉积，得到超薄锂带。
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