[发明专利]熔融沉积制备锂带的方法

权利要求书

1.熔融沉积制备锂带的方法，其特征在于：采用铜箔为基底，在铜箔上熔融沉积金属锂，具体步骤为：

S0：设置沉积目标值，输入初始的控制参数值，所述控制参数为锂液温度、涂头出锂量、铜箔传送速率和铜箔温度；

S1：通过控制参数来控制，进行熔融沉积；

S2：对熔融沉积出的锂膜进行实时膜层监测，得到监测值；

S3：将监测值与沉积目标值进行比对，如果不满足要求，则执行S4步骤，如果满足要求，则执行S5步骤；

S4：根据监测值以及控制参数进行逻辑运算，得到修正的控制参数值，并将S1步骤的控制参数修改为修正的控制参数值；依次进行S1～S3步骤；

S5：继续熔融沉积，得到超薄锂带；

其中，S4步骤中的逻辑运算公式为：

其中，d为锂膜厚度，单位μm；

m为涂头出锂量，单位mg/min；

T1为锂液温度，单位℃；

T2为铜箔温度，单位℃；

v为铜箔传送速率，单位m/min；

w为锂膜宽度，单位mm；

α为浮动因子，单位℃²·mm³/mg，α取值为1.05～7.55；

铜箔温度的调控范围为80～150℃。

2.根据权利要求1所述的熔融沉积制备锂带的方法，其特征在于：所述超薄锂带的锂膜厚度为3～100μm。

3.根据权利要求1或2所述的熔融沉积制备锂带的方法，其特征在于：涂头出锂量的调控范围为1～80mg/min。

4.根据权利要求1或2所述的熔融沉积制备锂带的方法，其特征在于：铜箔传送速率的调控范围为1～10m/min。

5.根据权利要求3所述的熔融沉积制备锂带的方法，其特征在于：铜箔传送速率的调控范围为1～10m/min。

6.根据权利要求1或2所述的熔融沉积制备锂带的方法，其特征在于：锂液温度的调控范围为185～300℃。

7.根据权利要求3所述的熔融沉积制备锂带的方法，其特征在于：锂液温度的调控范围为185～300℃。

8.根据权利要求4所述的熔融沉积制备锂带的方法，其特征在于：锂液温度的调控范围为185～300℃。

9.根据权利要求5所述的熔融沉积制备锂带的方法，其特征在于：锂液温度的调控范围为185～300℃。

10.根据权利要求1或2所述的熔融沉积制备锂带的方法，其特征在于：锂液为电池级金属锂的熔融液体。

11.根据权利要求3所述的熔融沉积制备锂带的方法，其特征在于：锂液为电池级金属锂的熔融液体。

12.根据权利要求4所述的熔融沉积制备锂带的方法，其特征在于：锂液为电池级金属锂的熔融液体。

13.根据权利要求5所述的熔融沉积制备锂带的方法，其特征在于：锂液为电池级金属锂的熔融液体。

14.根据权利要求6所述的熔融沉积制备锂带的方法，其特征在于：锂液为电池级金属锂的熔融液体。

15.根据权利要求7所述的熔融沉积制备锂带的方法，其特征在于：锂液为电池级金属锂的熔融液体。

16.根据权利要求8所述的熔融沉积制备锂带的方法，其特征在于：锂液为电池级金属锂的熔融液体。

17.根据权利要求9所述的熔融沉积制备锂带的方法，其特征在于：锂液为电池级金属锂的熔融液体。