[发明专利]电容器阵列结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种电容器阵列结构及其制造方法，包括：若干个呈阵列分布的电容器、横向支撑层及支撑柱；电容器包括下电极层、电容介质层及上电极层；下电极层位于半导体衬底上且位于阵列区域内；电容介质层覆盖于下电极层的内表面及外表面；上电极层覆盖于电容介质层的外表面；横向支撑层位于半导体衬底上并对准阵列区域，并连接各下电极层；横向支撑层包括顶层支撑层、中间支撑层及底层支撑层；支撑柱位于阵列区域的周边，支撑柱至少位于底层支撑层与中间支撑层之间。本发明通过在电容器的周边增设支撑柱，支撑柱与横向支撑层的其中至少一层相连接，可以为电容器提供横向及纵向支撑，有效降低了电容器的下电极发生坍塌或倾覆的风险。

主权项

1.一种电容器阵列结构，其特征在于，所述电容器阵列结构设置于半导体衬底上，所述电容器阵列结构包括：若干个呈阵列分布的电容器，位于所述半导体衬底上且位于阵列区域内，各所述电容器均包括：下电极层、电容介质层及上电极层；其中，所述下电极层位于所述半导体衬底上，且所述下电极层的截面形状为U型；所述电容介质层覆盖于所述下电极层的内表面及外表面；所述上电极层覆盖于所述电容介质层的外表面；横向支撑层，位于所述半导体衬底上并对准于所述阵列区域，并所述横向支撑层横向连接各所述下电极层；所述横向支撑层包括顶层支撑层、中间支撑层及底层支撑层，所述顶层支撑层位于所述下电极层的开口外围，所述中间支撑层位于所述下电极层的中间部位，所述底层支撑层位于所述下电极层的底部外围；及，支撑柱，位于所述阵列区域的周边，所述支撑柱至少位于所述底层支撑层与所述中间支撑层之间，所述支撑柱与所述横向支撑层的其中至少一层相连接。