[发明专利]优化不同透光率下浅槽隔离刻蚀形貌的方法有效
| 申请号： | 201711281769.5 | 申请日： | 2017-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN108091560B | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 许进;唐在峰;任昱;朱骏 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 栾美洁 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种优化不同透光率下浅槽隔离刻蚀形貌的方法，包括如下步骤：进行工艺前，建立不同透光率与浅沟槽腰部形貌之间的关系模型，并定义不同刻蚀菜单的透光率区间；进行浅槽隔离刻蚀工艺时，利用光学线宽测量仪实时检测腰部形貌，并根据腰部形貌、不同透光率与浅沟槽腰部形貌之间的关系模型、不同刻蚀菜单的透光率区间，调整刻蚀菜单，精确控制浅槽隔离的整体形貌。本发明通过利用光学线宽测量仪检测量化不同透光率下浅沟槽刻蚀的不同形貌，特别是腰部形貌，调整浅沟槽隔离刻蚀气体的配比，解决了目前只能根据切片监控刻蚀后形貌带来的精确度低，周期长的缺点。 | ||
| 搜索关键词： | 优化 不同 透光率 下浅槽 隔离 刻蚀 形貌 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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