[发明专利]形成集成电路的方法有效
申请号: | 201711278072.2 | 申请日: | 2017-12-06 |
公开(公告)号: | CN109427577B | 公开(公告)日: | 2020-12-08 |
发明(设计)人: | 廖显煌;谢东衡;杨宝如;张永丰 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/308 | 分类号: | H01L21/308;H01L21/033;H01L21/8234 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本文公开了具有线端延伸部的集成电路布局的各种示例。在一个示例中,一种方法包括接收集成电路布局,该集成电路布局包括:在第一方向上平行延伸的第一组形状和第二组形状,其中,第一组形状的间距不同于第二组形状的间距。横向构件形状被插入到集成电路布局中,其在垂直于第一方向的第二方向上延伸,并且一组线端延伸部被插入到集成电路布局中,其从第一组形状和第二组形状中的每个形状延伸至横向构件形状。提供包括第一组形状、第二组形状、横向构件形状、和一组线端延伸部的集成电路布局用于制造集成电路。本申请的实施例还提供了形成集成电路的方法。 | ||
搜索关键词: | 形成 集成电路 方法 | ||
【主权项】:
1.一种形成集成电路的方法,包括:接收集成电路布局,所述集成电路布局包括:第一组形状,在第一方向上平行延伸用于形成用于蚀刻衬底的第一组心轴;以及第二组形状,在所述第一方向上平行延伸用于形成用于蚀刻所述衬底的第二组心轴,其中,所述第一组形状的间距不同于所述第二组形状的间距;在所述集成电路布局中插入横向构件形状,所述横向构件形状在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸跨越所述第一组形状和所述第二组形状;在所述集成电路布局中插入一组线端延伸部,所述一组线端延伸部从所述第一组形状和所述第二组形状的每个形状延伸至所述横向构件形状;以及提供包括所述第一组形状、所述第二组形状、所述横向构件形状、和所述一组线端延伸部的所述集成电路布局用于形成所述第一组心轴和所述第二组心轴并且用于基于所述第一组心轴和所述第二组心轴蚀刻所述衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造