[发明专利]形成集成电路的方法

权利要求书

1.一种形成集成电路的方法，包括：

接收集成电路布局，所述集成电路布局包括：

第一组形状，在第一方向上平行延伸用于形成用于蚀刻衬底的第一组心轴；以及

第二组形状，在所述第一方向上平行延伸用于形成用于蚀刻所述衬底的第二组心轴，其中，所述第一组形状的间距不同于所述第二组形状的间距；

在所述集成电路布局中插入横向构件形状，所述横向构件形状在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸跨越所述第一组形状和所述第二组形状；

在所述集成电路布局中插入位于所述第一组形状的形状之间的第一组填充形状以及所述第二组形状的形状之间的第二组填充形状，其中，所述第一组填充形状和所述第二组填充形状中的每个形状在所述第一方向上平行延伸，并且所述第一组填充形状和所述第二组填充形状中的每个形状均延伸至所述横向构件形状；

在所述集成电路布局中插入一组线端延伸部，所述一组线端延伸部从所述第一组形状和所述第二组形状的每个形状延伸至所述横向构件形状；以及

提供包括所述第一组形状、所述第二组形状、所述横向构件形状、和所述一组线端延伸部的所述集成电路布局用于形成所述第一组心轴和所述第二组心轴并且用于基于所述第一组心轴和所述第二组心轴蚀刻所述衬底。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一组形状的间隔不同于所述第二组形状的间隔。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一组形状的宽度不同于所述第二组形状的宽度。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述第一组填充形状中的每个与所述第一组形状在以下的至少一个中相同：间距、间隔和宽度。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一组形状的间距不同于所述第二组形状的间距。

6.根据权利要求5所述的方法，还包括：

限定一组切割形状以去除由所述横向构件、所述一组线端延伸部、和所述填充形状形成的部件。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述集成电路布局上执行光学邻近效应修正工艺以将OPC形状添加至所述集成电路布局。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，OPC形状包括在所述横向构件形状和所述一组线端延伸部的线端延伸部的接合处的形状。

9.根据权利要求1所述的方法，其中：

从所述第一组形状延伸的所述一组线端延伸部的第一子组具有与所述第一组形状的宽度相同的宽度；以及

从所述第二组形状延伸的所述一组线端延伸部的第二子组具有与所述第二组形状的宽度相同的宽度。

10.一种形成集成电路的方法，包括：

接收用于制造集成电路的布局，所述布局包括：用于形成用于蚀刻衬底的多重图案化工艺的第一组心轴的第一组平行线、以及用于形成用于所述多重图案化工艺的第二组心轴的第二组平行线；

在所述第一组平行线和所述第二组平行线之间将横向构件插入所述布局中；

将把所述第一组平行线和所述第二组平行线的线耦合至所述横向构件的一组线端延伸部插入所述布局中；

在所述布局上执行光学邻近效应修正工艺以在所述布局中插入一组光学邻近效应修正线，所述一组光学邻近效应修正线包括在所述横向构件和所述一组线端延伸部的线端延伸部的接合处的线；以及

提供包括所述第一组平行线、所述第二组平行线、所述横向构件、和所述一组线端延伸部的所述布局用于执行所述多重图案化工艺。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一组平行线与所述第二组平行线在以下的至少一个中不同：间距、宽度、或间隔。