[发明专利]一种大面积、高反射率氮化镓/纳米多孔氮化镓分布布拉格反射镜的制备方法在审
申请号: | 201711277378.6 | 申请日: | 2017-12-06 |
公开(公告)号: | CN107895690A | 公开(公告)日: | 2018-04-10 |
发明(设计)人: | 肖之光 | 申请(专利权)人: | 肖之光 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;H01L33/00;H01S5/028;H01S5/125 |
代理公司: | 济南金迪知识产权代理有限公司37219 | 代理人: | 陈桂玲 |
地址: | 250199 山东省济南市历*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明涉及一种大面积、高反射率氮化镓/纳米多孔氮化镓分布布拉格反射镜的制备方法。该方法包括采用电化学刻蚀法,以生长在c‑面蓝宝石衬底上的UID‑GaN/n‑GaN周期性结构为阳极,以Pt电极为阴极,在NaNO3、氯化钠(NaCl)或硫酸钠(Na2SO4)中性电解液中制备氮化镓/纳米多孔氮化镓分布布拉格反射镜。该反射镜表面光滑平整,可满足2英寸及以上的产品需要,在可见光区的某波段反射率可超过95%。用于制备氮化镓基垂直腔面发射激光器和发光二极管等器件。 | ||
搜索关键词: | 一种 大面积 反射率 氮化 纳米 多孔 分布 布拉格 反射 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种氮化镓/纳米多孔氮化镓分布布拉格反射镜的制备方法,采用电化学刻蚀技术,以中性溶液为电解液,对生长在c‑面蓝宝石衬底上的UID‑GaN(0001)/n‑GaN(0001)周期性结构进行表面刻蚀;所述中性溶液为硝酸钠(NaNO3)、氯化钠(NaCl)或硫酸钠(Na2SO4)的水溶液;所述UID‑GaN(0001)/n‑GaN(0001)周期数为6‑15。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造