[发明专利]浮栅型闪存的制作方法及浮栅型闪存

摘要

本发明涉及浮栅型闪存的制作方法及浮栅型闪存，其中浮栅型闪存的制作方法包括形成第一多晶硅层以用于形成浮栅，在第一多晶硅层上方形成垫氧化层和阻挡层并形成贯穿二者的开口，该开口部分覆盖用于形成堆叠栅极的浮栅区，氧化该开口暴露的第一多晶硅层，从而使得浮栅区的第一多晶硅层表面形成凹坑，在去除阻挡层、垫氧化层以及表面氧化层之后，在第一多晶硅层上形成极间介质层和用于形成控制上的第二多晶硅层，最终在浮栅区形成堆叠栅极，该堆叠栅极中，控制栅和浮栅的堆叠面具有高度起伏的结构，从而可以增加控制栅和浮栅的耦合面积，提高控制栅到浮栅的耦合效率。本发明另外提供了上述具有高度起伏堆叠面的浮栅型闪存。

主权项

一种浮栅型闪存的制作方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上包括浮栅区；在所述基底上依次叠加形成隧穿氧化层、第一多晶硅层、垫氧化层和阻挡层；刻蚀所述阻挡层和所述垫氧化层，形成贯穿所述阻挡层和所述垫氧化层的开口，所述开口部分覆盖所述浮栅区；氧化所述开口下方的所述第一多晶硅层，在所述开口内形成表面氧化层；以及去除剩余的所述阻挡层、所述垫氧化层以及所述表面氧化层，在所述第一多晶硅层表面形成了凹坑，所述凹坑部分覆盖所述浮栅区。