[发明专利]芯片内核温度检测电路在审
| 申请号： | 201711275420.0 | 申请日： | 2017-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN107764431A | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 张祺;姬晶;贾红;程显志;陈维新;韦嶔 | 申请（专利权）人： | 西安智多晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01K13/00 | 分类号： | G01K13/00 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710075 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明属于检测电路技术领域，具体涉及一种芯片内核温度检测电路。该芯片内核温度检测电路包括基准产生模块、多路选择模块、第一电阻、比较模块和处理模块；其中，所述基准产生模块包括两个输出端，用于产生与温度成正比的温度表征电流以及不随温度变化的参考电流；所述多路选择模块电连接所述基准产生模块；所述第一电阻电连接于所述基准产生模块与接地端之间；所述比较模块的第一输入端电连接所述第一电阻，其第二输入端电连接所述多路选择模块；所述处理模块分别电连接所述多路选择模块与所述比较模块。所述芯片内核温度检测电路占用面积小，检测精确且功耗较低。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 内核 温度 检测 电路 | ||
【主权项】：
一种芯片内核温度检测电路，其特征在于，包括：基准产生模块(101)、多路选择模块(102)、第一电阻(R1)、比较模块(103)和处理模块(104)；其中，所述基准产生模块(101)包括两个输出端，用于产生与温度成正比的温度表征电流(IPTAT)和不随温度变化的参考电流(IREF)；所述多路选择模块(102)电连接所述基准产生模块(101)，用于在所述处理模块(104)的控制下将所述不随温度变化的参考电流(IREF)转换成不同的参考电压(VREF)；所述第一电阻(R1)电连接于所述基准产生模块(101)与接地端(GND)之间，用于将所述温度表征电流(IPTAT)转换为温度表征电压(VPTAT)；所述比较模块(103)的第一输入端电连接所述第一电阻(R1)，其第二输入端电连接所述多路选择模块(102)，分别用于接收所述温度表征电压(VPTAT)和所述参考电压(VREF)，并比较所述温度表征电压(VPTAT)与所述参考电压(VREF)；所述处理模块(104)分别电连接所述多路选择模块(102)和所述比较模块(103)，用于根据所述比较模块(103)的比较结果输出芯片温度测试结果，并控制所述多路选择模块(102)的工作状态。
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