[发明专利]芯片内核温度检测电路

权利要求书

1.一种芯片内核温度检测电路，其特征在于，包括：基准产生模块(101)、多路选择模块(102)、第一电阻(R1)、比较模块(103)和处理模块(104)；其中，

所述基准产生模块(101)包括两个输出端，用于产生与温度成正比的温度表征电流(I_PTAT)和不随温度变化的参考电流(I_REF)；

所述多路选择模块(102)电连接所述基准产生模块(101)，用于在所述处理模块(104)的控制下将所述不随温度变化的参考电流(I_REF)转换成不同的参考电压(V_REF)；

所述第一电阻(R1)电连接于所述基准产生模块(101)与接地端(GND)之间，用于将所述温度表征电流(I_PTAT)转换为温度表征电压(V_PTAT)；

所述比较模块(103)的第一输入端电连接所述第一电阻(R1)，其第二输入端电连接所述多路选择模块(102)，分别用于接收所述温度表征电压(V_PTAT)和所述参考电压(V_REF)，并比较所述温度表征电压(V_PTAT)与所述参考电压(V_REF)；

所述处理模块(104)分别电连接所述多路选择模块(102)和所述比较模块(103)，用于根据所述比较模块(103)的比较结果输出芯片温度测试结果，并控制所述多路选择模块(102)的工作状态。

2.根据权利要求1所述的芯片内核温度检测电路，其特征在于，所述基准产生模块(101)包括基准电压产生模块(1011)和基准电流产生模块(1012)，其中，

所述基准电压产生模块(1011)的第一输出端电连接所述第一电阻(R1)，用于产生与温度成正比的温度表征电流(I_PTAT)；所述基准电压产生模块(1011)的第二输出端电连接所述基准电流产生模块(1012)的输入端，用于产生不随温度变化的基准电压(V_BG)；所述基准电流产生模块(1012)的输出端电连接所述多路选择模块(102)，用于产生不随温度变化的参考电流(I_REF)。

3.根据权利要求2所述的芯片内核温度检测电路，其特征在于，所述基准电流产生模块(1012)包括运算放大器(IC)、第一开关管(M1)、第二开关管(M2)、第三开关管(M3)和第二电阻(R2)；其中，

所述第二电阻(R2)、所述第三开关管(M3)与所述第一开关管(M1)依次串联于接地端(GND)与电源端(VCC)之间；

所述运算放大器(IC)的正输入端电连接所述基准电压产生模块(1011)的第二输出端，其负输入端电连接至所述第二电阻(R2)与所述第三开关管(M3)串联形成的节点处，其输出端电连接所述第三开关管(M3)的控制端；

所述第一开关管(M1)的控制端电连接至所述第一开关管(M1)与所述第三开关管(M3)串联形成的节点处；

所述第二开关管(M2)串接于电源端(VCC)与所述多路选择模块(102)之间，并且其控制端电连接所述第一开关管(M1)的控制端。

4.根据权利要求1所述的芯片内核温度检测电路，其特征在于，所述多路选择模块(102)包括电阻网络阵列(RL)和2ⁿ选1多路选择器(I1)，其中，

所述电阻网络阵列(RL)包括2ⁿ个串联电阻，所述电阻网络阵列(RL)的一端电连接所述基准电流产生模块(1012)的输出端，另一端电连接至接地端(GND)；

所述2ⁿ选1多路选择器(I1)具有2ⁿ个输入端，其中，2ⁿ-1个输入端分别电连接至相邻两个所述串联电阻串接形成的节点处，1个输入端电连接至所述基准电流产生模块(1012)的输出端与其连接的所述串联电阻串接形成的节点处；所述2ⁿ选1多路选择器(I1)的输出端电连接至所述比较模块(103)，其控制端电连接至所述处理模块(104)，其中，所述2ⁿ个串联电阻的电阻值是可调节的。