[发明专利]具有沟槽型器件隔离膜的半导体器件有效
| 申请号： | 201711274103.7 | 申请日： | 2017-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN108231774B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 崔智旻;李东烈;李镐旭;金志永;赵昶贤 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供了具有沟槽型器件隔离膜的半导体器件。一种半导体器件包括具有半导体层的基板。沟槽形成在半导体层内。填充绝缘膜设置在沟槽内。插入衬层设置在填充绝缘膜内。插入衬层与半导体层间隔开并沿着沟槽的底表面延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 沟槽 器件 隔离 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：基板，包括半导体层；沟槽，形成在所述半导体层内；填充绝缘膜，设置在所述沟槽内；以及插入衬层，设置在所述填充绝缘膜内，所述插入衬层与所述半导体层间隔开并沿着所述沟槽的底表面延伸。
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