[发明专利]具有沟槽型器件隔离膜的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

基板，包括半导体层；

沟槽，形成在所述半导体层内；

填充绝缘膜，设置在所述沟槽内；以及

插入衬层，设置在所述填充绝缘膜内，所述插入衬层与所述半导体层间隔开并沿着所述沟槽的底表面延伸，

其中所述填充绝缘膜包括基于硅氧化物的材料，所述插入衬层包括基于硅氮化物的材料，

其中所述插入衬层包括沿着所述沟槽的所述底表面延伸的第一部分和沿着所述沟槽的侧壁延伸的第二部分，并且

所述插入衬层的所述第一部分的厚度大于所述插入衬层的所述第二部分的厚度，所述插入衬层的所述第二部分的厚度不具有电子捕获性能。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中从所述沟槽的所述底表面到所述插入衬层的所述第二部分的最上部分的高度小于从所述沟槽的所述底表面到所述填充绝缘膜的上表面的高度。

3.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

有源区域，由所述沟槽限定；以及

栅电极，形成为跨过所述有源区域和所述填充绝缘膜的一部分。

4.一种半导体器件，包括：

基板；

沟槽，形成在所述基板内，所述沟槽包括彼此相对的第一侧壁和第二侧壁；

第一绝缘膜，沿着所述沟槽的所述第一侧壁、所述第二侧壁和底表面延伸；

第二绝缘膜，设置在所述第一绝缘膜上，所述第二绝缘膜沿着所述沟槽的所述底表面和所述沟槽的所述第一侧壁延伸，其中在所述沟槽的所述底表面上的所述第二绝缘膜的厚度大于在所述沟槽的所述第一侧壁上的所述第二绝缘膜的厚度，所述沟槽的所述第一侧壁上的所述第二绝缘膜的厚度不具有电子捕获性能；以及

第三绝缘膜，设置在所述第二绝缘膜上，所述第三绝缘膜填充所述沟槽，

其中所述第一绝缘膜和所述第三绝缘膜的每个包括基于硅氧化物的材料，所述第二绝缘膜包括基于硅氮化物的材料。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其中在所述沟槽的所述第一侧壁上的所述第一绝缘膜的厚度大于在所述沟槽的所述第一侧壁上的所述第二绝缘膜的厚度。

6.如权利要求4所述的半导体器件，其中在所述沟槽的所述底表面上的所述第一绝缘膜的厚度大于在所述沟槽的所述第一侧壁上的所述第二绝缘膜的厚度。

7.如权利要求4所述的半导体器件，其中所述第二绝缘膜沿着所述沟槽的所述第一侧壁、所述底表面和所述第二侧壁延伸。

8.如权利要求4所述的半导体器件，其中所述沟槽的所述第二侧壁上的所述第一绝缘膜与所述第三绝缘膜直接接触。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述第二绝缘膜不沿着所述沟槽的所述第二侧壁延伸。

10.如权利要求4所述的半导体器件，其中所述第三绝缘膜与所述第二绝缘膜直接接触。

11.如权利要求4所述的半导体器件，其中所述第二绝缘膜的最上部分由所述第一绝缘膜和所述第三绝缘膜暴露。