[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管有效

专利信息
申请号: 201711255213.9 申请日: 2017-12-04
公开(公告)号: CN108122962B 公开(公告)日: 2020-07-31
发明(设计)人: 汪志刚;王冰 申请(专利权)人: 西南交通大学
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L29/10;H01L29/739
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 孙一峰
地址: 610031 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明属于半导体技术领域,具体的说涉及一种绝缘栅双极型晶体管。本发明在传统纵向IGBT器件结构的基础上,设置IGBT分流区以及在第三电极处设置第三电极延伸结构和第三电极区高掺杂接收区域,一方面可以实现不同载流子的分流,并分别在第一电极和第三电极处分别形成第二类载流子、第一类载流子高密度通道,从而实现载关断瞬间载流子单极流通,进而提高关断速度;另外,漂移区采用横向交替排布的P/N结,关断状态下漂移区内电场横向调制,也可以具有较高的正/反向阻断能力。
搜索关键词: 一种 绝缘 栅双极型 晶体管
【主权项】:
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