[发明专利]沟槽栅功率晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201711234638.1 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN107895737A | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 石磊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽栅功率晶体管，沟槽栅包括形成于沟槽内侧表面的栅氧化层，形成于栅氧化层表面的第一多晶硅层，位于沟槽的底部的第一多晶硅层被去除并在第一多晶硅层被去除的沟槽底部区域自对准形成有第二氧化层；第二多晶硅层沟槽完全填充。本发明还公开了一种沟槽栅功率晶体管的制造方法。本发明的沟槽的底部的第二氧化层和栅氧化层的叠加结构能降低沟槽栅功率晶体管的反向转移电容并同时能提高器件的击穿电压；本发明能实现多晶硅栅从顶部到底部都是通过栅氧化层来覆盖沟槽的侧面，从而能保证沟槽栅功率晶体管具有较低导通电阻，最后能改善器件性能，本发明还具有较低工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 功率 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽栅功率晶体管，其特征在于，沟槽栅包括：沟槽，形成于半导体衬底上；栅氧化层，形成于所述沟槽的侧面和底部表面；第一多晶硅层，形成于所述栅氧化层表面；位于所述沟槽的底部表面上的所述第一多晶硅层被去除而在所述沟槽的底部将所述栅氧化层表面暴露；第二氧化层形成于所述沟槽底部的所述栅氧化层表面；第二多晶硅层将所述第二氧化层顶部的所述沟槽完全填充；由所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层叠加形成多晶硅栅；所述第二氧化层和所述栅氧化层之间隔离有所述第一多晶硅层；通过叠加在所述沟槽的底部的所述第二氧化层和所述栅氧化层来形成能降低沟槽栅功率晶体管的反向转移电容的结构；通过所述第一多晶硅层的底部的插入到所述第二氧化层和所述栅氧化层之间结构来实现所述多晶硅栅从顶部到底部都是通过所述栅氧化层来覆盖所述沟槽的侧面的结构，从而保证所述沟槽栅功率晶体管具有较低导通电阻。
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