[发明专利]一种芯片级声表面波滤波器制作方法在审

专利信息
申请号: 201711232803.X 申请日: 2017-11-30
公开(公告)号: CN108039873A 公开(公告)日: 2018-05-15
发明(设计)人: 李善斌;张少华;刘绍侃;王宁;蒋燕港 申请(专利权)人: 深圳华远微电科技有限公司
主分类号: H03H9/64 分类号: H03H9/64;H03H9/02
代理公司: 广东深宏盾律师事务所 44364 代理人: 徐文涛;李立秋
地址: 518125 广东省深圳市宝*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及芯片制作方法领域,一种芯片级声表面波滤波器制作方法,清洗工艺,压电材料的清洗;镀膜工艺,在压电材料表面镀金属膜;涂布工艺,在金属膜表面均匀的涂一层正性光刻胶;S4、光刻工艺,紫外光透过光刻版照射到下方光刻胶,光刻胶发生化学反应形成槽;显影工艺,在光刻胶上涂显影液,接触到紫外光的光刻胶与显影液反应,被去除;刻蚀工艺;保护层钝化;涂布工艺;显影工艺;刻蚀工艺;电镀工艺等工艺。通过增加保护层完成产品的钝化,解决了后续产品工艺划伤的隐患,大大提高了产品的防水防尘效果,并以此为基础,叠加光刻版版图的防静电条制作,应用电镀完成产品的凸焊点的制作,减少了传统的需要叠加剥离工艺与植金球的复杂程度。
搜索关键词: 一种 芯片级 表面波 滤波器 制作方法
【主权项】:
1.一种芯片级声表面波滤波器制作方法,其特征在于,包括如下步骤:S1、清洗工艺,压电材料的清洗;S2、镀膜工艺,在压电材料表面镀金属膜;S3、涂布工艺,在金属膜表面均匀的涂一层正性光刻胶;S4、光刻工艺,紫外光透过光刻版照射到下方光刻胶,光刻胶发生化学反应形成槽;S5、显影工艺,在光刻胶上涂显影液,接触到紫外光的光刻胶与显影液反应,被去除;S6、刻蚀工艺,去除无光刻胶的保护的金属膜,剩余光刻胶剥离;S7、保护层钝化,对整枚压电材料镀膜一层氮化硅,钝化保护,获得半成品芯片;S8、涂布工艺,对半成品芯片表面均匀的涂正性光刻胶;S9、光刻工艺,紫外光透过光刻版照射到下方光刻胶,光刻胶发生化学反应;S10、显影工艺,接触到紫外光的光刻胶与显影液反应,被去除;S11、刻蚀工艺,无光刻胶的保护的SixNy被去除,将金属结构PAD层裸露出来,剩余光刻胶剥离;S12、电镀工艺,电镀一层金完成对PAD层上金凸焊点的制作,得到成品芯片。
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