[发明专利]一种芯片级声表面波滤波器制作方法

说明书

本发明涉及芯片制作方法领域，一种芯片级声表面波滤波器制作方法，清洗工艺，压电材料的清洗；镀膜工艺，在压电材料表面镀金属膜；涂布工艺，在金属膜表面均匀的涂一层正性光刻胶；S4、光刻工艺，紫外光透过光刻版照射到下方光刻胶，光刻胶发生化学反应形成槽；显影工艺，在光刻胶上涂显影液，接触到紫外光的光刻胶与显影液反应，被去除；刻蚀工艺；保护层钝化；涂布工艺；显影工艺；刻蚀工艺；电镀工艺等工艺。通过增加保护层完成产品的钝化，解决了后续产品工艺划伤的隐患，大大提高了产品的防水防尘效果，并以此为基础，叠加光刻版版图的防静电条制作，应用电镀完成产品的凸焊点的制作，减少了传统的需要叠加剥离工艺与植金球的复杂程度。

技术领域

本发明涉及芯片制作方法领域，特别是一种芯片级声表面波滤波器制作方法。

背景技术

着通信时代的快速发展，小型化、高频化、高可靠性的声表面波滤波器 (SAWF)越来越受重视，芯片级声表面波滤波器工艺技术因而得到了飞速发展。

传统的芯片级声表面波滤波器制作工艺复杂，也限制产品的安全可靠性，设备的使用效率。传统的芯片级声表面波滤波器制作工艺仅是对芯片叉指的制作完成。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供一种芯片级声表面波滤波器制作方法，解决后续产品工艺划伤的隐患，大大提高了产品的防水防尘效果。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：

一种芯片级声表面波滤波器制作方法，包括如下步骤：

S1、清洗工艺，压电材料的清洗；

S2、镀膜工艺，在压电材料表面镀金属膜；

S3、涂布工艺，在金属膜表面均匀的涂一层正性光刻胶；

S4、光刻工艺，紫外光透过光刻版照射到下方光刻胶，光刻胶发生化学反应形成槽；

S5、显影工艺，在光刻胶上涂显影液，接触到紫外光的光刻胶与显影液反应，被去除；

S6、刻蚀工艺，去除无光刻胶的保护的金属膜，剩余光刻胶剥离；

S7、保护层钝化，对整枚压电材料镀膜一层氮化硅，钝化保护，获得半成品芯片；

S8、涂布工艺，对半成品芯片表面均匀的涂正性光刻胶；

S9、光刻工艺，紫外光透过光刻版照射到下方光刻胶，光刻胶发生化学反应；

S10、显影工艺，接触到紫外光的光刻胶与显影液反应，被去除；

S11、刻蚀工艺，无光刻胶的保护的SixNy被去除，将金属结构PAD层裸露出来，剩余光刻胶剥离；

S12、电镀工艺，电镀一层金完成对PAD层上金凸焊点的制作。

作为优选的，通过倒装成品芯片与底座的电性能导通，经划片切割完成单个产品的分离，完成整个产品的制作。

使用本发明的有益效果是：

通过增加保护层完成产品的钝化，解决了后续产品工艺划伤的隐患，大大提高了产品的防水防尘效果，并以此为基础，叠加光刻版版图的防静电条制作，应用电镀完成产品的凸焊点的制作，减少了传统的需要叠加剥离工艺与植金球的复杂程度。

附图说明

图1为本发明芯片级声表面波滤波器制作方法的工艺流程图。

附图标记包括：

100-压电材料 200-金属膜 300-第一层光刻胶

400-第一光刻板 500-第二层光刻胶 600-SixNy层