[发明专利]一种芯片级声表面波滤波器制作方法在审
| 申请号： | 201711232803.X | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN108039873A | 公开（公告）日： | 2018-05-15 |
| 发明（设计）人： | 李善斌;张少华;刘绍侃;王宁;蒋燕港 | 申请（专利权）人： | 深圳华远微电科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/64 | 分类号： | H03H9/64;H03H9/02 |
| 代理公司： | 广东深宏盾律师事务所 44364 | 代理人： | 徐文涛;李立秋 |
| 地址： | 518125 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 芯片级 表面波 滤波器 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种芯片级声表面波滤波器制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1、清洗工艺，压电材料的清洗；
S2、镀膜工艺，在压电材料表面镀金属膜；
S3、涂布工艺，在金属膜表面均匀的涂一层正性光刻胶；
S4、光刻工艺，紫外光透过光刻版照射到下方光刻胶，光刻胶发生化学反应形成槽；
S5、显影工艺，在光刻胶上涂显影液，接触到紫外光的光刻胶与显影液反应，被去除；
S6、刻蚀工艺，去除无光刻胶的保护的金属膜，剩余光刻胶剥离；
S7、保护层钝化，对整枚压电材料镀膜一层氮化硅，钝化保护，获得半成品芯片；
S8、涂布工艺，对半成品芯片表面均匀的涂正性光刻胶；
S9、光刻工艺，紫外光透过光刻版照射到下方光刻胶，光刻胶发生化学反应；
S10、显影工艺，接触到紫外光的光刻胶与显影液反应，被去除；
S11、刻蚀工艺，无光刻胶的保护的SixNy被去除，将金属结构PAD层裸露出来，剩余光刻胶剥离；
S12、电镀工艺，电镀一层金完成对PAD层上金凸焊点的制作，得到成品芯片。
2.根据权利要求1所述的芯片级声表面波滤波器制作方法，其特征在于：通过倒装成品芯片与底座的电性能导通，经划片切割完成单个产品的分离，完成整个产品的制作。
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