[发明专利]一种涡轮叶片的化学气相沉积Al-Si的方法

摘要

本发明公开了一种涡轮叶片的化学气相沉积Al‑Si的方法，所述方法包括遮蔽与装夹、主反应器高压加热、Al反应器加热渗Al、气化SiCl4渗Si以及扩散热处理和冷却。通过优化气相沉积的工艺流程，先气相渗Al再渗Si，将液相SiCl4气化后进行渗Si操作，调整反应温度、压力及时间的参数，协调Al‑Si各组分含量与厚度的关系，最终得到表面及内部冷却通道的渗层纯净无杂质且厚度均匀的涡轮叶片，叶片渗层厚度为30‑60μm，Al含量25‑35wt％，Si含量为2‑4％。