[发明专利]一种基于SDRAM芯片的矩阵转置方法有效
| 申请号： | 201711220592.8 | 申请日： | 2017-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN108053855B | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 郭晨光;刘风华;行涛;张建军;闫昕;王琰;乐立鹏;安印龙;马城城 | 申请（专利权）人： | 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所 |
| 主分类号： | G11C11/408 | 分类号： | G11C11/408 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 徐辉 |
| 地址： | 100076 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于SDRAM芯片的矩阵转置方法，提出了符合SDRAM芯片器件特性的读地址、写地址生成方法。对于采用SDRAM芯片作为大容量存储器件的矩阵转置应用来说，本发明原理简单，易于实现，数据连续输入输出时可以做到无缝对接，且无需进行刷新操作，转置效率可以达到100％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 sdram 芯片 矩阵 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于SDRAM芯片的矩阵转置方法，采用2组SDRAM芯片，每组SDRAM芯片包括4个BANK，突发长度为b，其特征在于步骤如下：(1)获取待转置矩阵的行数M，列数N；(2)按行连续输入待转置矩阵，并将连续b行数据划分为N/b个b×b子矩阵；(3)将奇数个b×b子矩阵转置后按行拼接，每个b×b子矩阵存储在第一组SDRAM芯片BANK的同一行中，每写完一个b×b子矩阵自上而下换行；将偶数个b×b子矩阵转置后按行拼接，每个b×b子矩阵存储在第二组SDRAM芯片相同编号BANK的同一行中，每写完一个b×b子矩阵自上而下换行；每写入b行数据后进行一次BANK切换，4个BANK遍历后按照间隔N/2b个存储行的方式换行写，并在4个BANK之间循环遍历；(4)在第一组SDRAM芯片中，依次连续读出每个BANK中的b个数据；每读出b个数据进行一次BANK切换，并在4个BANK之间循环遍历，直至读出原始待转置矩阵的b列数据后进行一次SDRAM芯片间切换。
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