[发明专利]防瞬态闩锁的ESD保护电路

摘要

本发明提供一种防瞬态闩锁的ESD保护电路，包括p型衬底，在p型衬底上的p埋层，设置在p埋层上的第一区和第二区：第一区的击穿电压比第二区的击穿电压更高，同时又比后续电路的损坏电压更低本发明通过调节可调电阻的阻值来调整整个电路的维持电压，大大增加了ESD保护电路设计的灵活性，实现了在防止闩锁的前提下能以较低功耗泄放ESD信号的功能，使得该电路的电压适用范围更广。

主权项

一种防瞬态闩锁的ESD保护电路，其特征在于包括p型衬底(01)，在p型衬底上的p埋层(07)，设置在p埋层(07)上的第一区和第二区：第一区包括：设置在p埋层(07)上的右nwell区(02)，与右nwell区(02)右边缘相切的右pwell区(03)，在右nwell区(02)上表面注入的第一右N+接触区(11)以及与其右边缘相切的第一右P+区(21)，第一右N+接触区(11)与第一右P+区(21)表面用金属短接，构成器件阳极(31)；在右pwell区(03)上表面注入的第二右N+接触区(12)以及与其右边缘相切的第二右P+区(22)，第二右N+接触区(12)通过金属与可调电阻(06)相连接，再短接到阴极(08)，第二右P+区(22)通过金属与阴极(08)短接；在右nwell区(02)和右pwell区(03)交界处的表面注入形成的右N+低触发区(13)；第二区包括：设置p埋层(07)上的左nwell区(021)，以及与左nwell区(021)左边缘相切的左pwell区(031)，在左nwell区(021)上表面注入的第一左N+接触区(111)以及与其左边缘相切的第一左P+区(211)，第一左N+接触区(111)与第一左P+区(211)表面用金属短接，构成器件阳极(31)，在左pwell区(031)上表面注入的第二左N+接触区(121)以及与其左边缘相切的第二左P+区(221)，第二左N+接触区(121)通过金属短接到阴极(08)，第二左P+区(221)通过金属与阴极(08)短接，在左nwell区(021)和左pwell区(031)交界处的表面注入形成的左N+低触发区(131)；第二区的击穿电压比第一区的击穿电压更高，同时又比后续电路的损坏电压更低。