[发明专利]一种红外光学元件表面成型类金刚石膜镀膜工艺

摘要

本发明涉及一种红外光学元件表面成型类金刚石膜镀膜工艺，一种红外光学元件表面成型类金刚石膜镀膜工艺，包括如下步骤：(1)对单晶硅基片进行清洗预处理,(2)将单晶硅基片放置到PECVD设备射频阴极极板上，并将真空室真空抽至大于3×10^‑3Pa，加热光学元件至450℃；(3)向真空室充入氩气，保持真空在2.5Pa，同时射频源放电将氩气离子化后形成氩离子，氩离子对准基片表面轰击8min；(4)向真空室内通入丁烷，保持真空在300Pa，调节射频功率在2500W以上，然后降低射频功率至800W继续沉积直到沉积厚度为预设值；(5)将工件温度缓慢降至室温，降温速率为50℃/h；本发明的工艺制得的类金刚石膜硬度高，用任何尖锐的金属制品刻划均无痕迹，而且耐磨性好。

主权项

1.一种红外光学元件表面成型类金刚石膜镀膜工艺，其特征在于，包括如下步骤：(1)对单晶硅基片进行清洗预处理；(2)将单晶硅基片放置到PECVD设备射频阴极极板上，并将真空室真空抽至大于3×10^‑3Pa，加热光学元件至300℃‑550℃；(3)向真空室充入氩气，保持真空在2.5Pa，同时射频源放电将氩气离子化后形成氩离子，氩离子对准基片表面轰击5‑10min；(4)向真空室内通入丁烷，保持真空在5‑600Pa，调节射频功率在2500W以上，沉积2‑5min，然后降低射频功率至60‑1300W继续沉积直到沉积厚度为预设值；(5)将工件温度缓慢降至室温，降温速率为40‑60℃/h。