[发明专利]一种红外光学元件表面成型类金刚石膜镀膜工艺在审
| 申请号： | 201711201138.8 | 申请日： | 2017-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN109837522A | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 韩崇利 | 申请（专利权）人： | 成都中源红科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/26 | 分类号： | C23C16/26;C23C16/505 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610100 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 类金刚石膜 红外光学元件 表面成型 镀膜工艺 单晶硅基片 射频功率 氩离子 沉积 真空室充入氩气 清洗预处理 射频源放电 真空室真空 耐磨性 光学元件 基片表面 金属制品 射频阴极 氩气离子 丁烷 极板 刻划 预设 轰击 加热 对准 室内 尖锐 | ||
1.一种红外光学元件表面成型类金刚石膜镀膜工艺，其特征在于，包括如下步骤：(1)对单晶硅基片进行清洗预处理；(2)将单晶硅基片放置到PECVD设备射频阴极极板上，并将真空室真空抽至大于3×10-3Pa，加热光学元件至300℃-550℃；(3)向真空室充入氩气，保持真空在2.5Pa，同时射频源放电将氩气离子化后形成氩离子，氩离子对准基片表面轰击5-10min；(4)向真空室内通入丁烷，保持真空在5-600Pa，调节射频功率在2500W以上，沉积2-5min，然后降低射频功率至60-1300W继续沉积直到沉积厚度为预设值；(5)将工件温度缓慢降至室温，降温速率为40-60℃/h。
2.根据权利要求1所述的一种红外光学元件表面成型类金刚石膜镀膜工艺，其特征在于，所述清洗预处理具体为：将基片放置在酒精中超声波清洗10min，然后用去离子水反复冲洗后吹干。
3.根据权利要求1所述的一种红外光学元件表面成型类金刚石膜镀膜工艺，其特征在于，所述基片离射频源190mm，丁烷充入的流量为50sccm。
4.根据权利要求1所述的一种红外光学元件表面成型类金刚石膜镀膜工艺，其特征在于，包括如下步骤：(1)对单晶硅基片进行清洗预处理；(2)将单晶硅基片放置到PECVD设备射频阴极极板上，并将真空室真空抽至大于3×10-3Pa，加热光学元件至450℃；(3)向真空室充入氩气，保持真空在2.5Pa，同时射频源放电将氩气离子化后形成氩离子，氩离子对准基片表面轰击8min；(4)向真空室内通入丁烷，保持真空在300Pa，调节射频功率在2500W以上，沉积5min，然后降低射频功率至800W继续沉积直到沉积厚度为预设值；(5)将工件温度缓慢降至室温，降温速率为50℃/h。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
