[发明专利]薄膜晶体管及其驱动方法、显示装置和晶体管电路有效
| 申请号： | 201711190146.7 | 申请日： | 2017-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN108231904B | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 竹知和重 | 申请（专利权）人： | 天马微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/10;G09G3/20;G09G3/3233;G09G3/36 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华;何月华 |
| 地址： | 518052 广东省深圳市龙华*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及薄膜晶体管及其驱动方法、显示装置和晶体管电路。一种氧化物半导体薄膜晶体管包括：源极电极及漏极电极；沟道层，其由氧化物半导体形成；第一绝缘膜；第一栅极电极，其形成在与形成于沟道层和第一绝缘膜之间的界面上的第一沟道区域相对的面侧；第二绝缘膜；以及第二栅极电极，其形成在与形成于沟道层和第二绝缘膜之间的界面上的第二沟道区域相对的面侧，在将第一沟道区域的在源极电极和漏极电极的并排设置方向上的长度设为第一沟道长度，第二沟道区域的在并排设置方向上的长度设为第二沟道长度的情况下，第二沟道长度比第一沟道长度短，且施加于第二栅极电极的电位大于或等于源极电极和漏极电极的电位中的较低的电位。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 驱动 方法 显示装置 晶体管 电路 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：源极电极及漏极电极；由氧化物半导体形成的沟道层，所述沟道层与所述源极电极和所述漏极电极接触；第一绝缘膜和第一栅极电极，所述第一绝缘膜和所述第一栅极电极形成在所述沟道层的第一面侧上，所述第一面侧不与所述源极电极和所述漏极电极接触；第一沟道区域，所述第一沟道区域在所述沟道层和所述第一绝缘膜之间的第一界面上，从所述源极电极和所述沟道层彼此接触的边缘到所述漏极电极和所述沟道层彼此接触的边缘而形成；第二绝缘膜和第二栅极电极，所述第二绝缘膜和所述第二栅极电极形成在所述沟道层的第二面侧上，所述第二面侧与所述源极电极和所述漏极电极接触；以及第二沟道区域，所述第二沟道区域在所述沟道层和所述第二绝缘膜之间的第二界面上，形成于从所述第二栅极电极与所述沟道层重叠的区域中除去所述源极电极及所述漏极电极与所述沟道层重叠的区域得到的区域，其中，所述源极电极和所述漏极电极空出间隙地并排设置，在将所述第一沟道区域的在所述源极电极和所述漏极电极的并排设置方向上的长度设为第一沟道长度、将所述第二沟道区域的在所述并排设置方向上的长度设为第二沟道长度的情况下，所述第二沟道长度比所述第一沟道长度短，并且施加于所述第二栅极电极的电位大于或等于所述源极电极和所述漏极电极的电位中的较低电位。
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