[发明专利]薄膜晶体管及其驱动方法、显示装置和晶体管电路

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：

源极电极及漏极电极；

由氧化物半导体形成的沟道层，所述沟道层与所述源极电极和所述漏极电极接触；

第一绝缘膜和第一栅极电极，所述第一绝缘膜和所述第一栅极电极形成在所述沟道层的第一面侧上，所述第一面侧不与所述源极电极和所述漏极电极接触；

第一沟道区域，所述第一沟道区域在所述沟道层和所述第一绝缘膜之间的第一界面上，从所述源极电极和所述沟道层彼此接触的边缘到所述漏极电极和所述沟道层彼此接触的边缘而形成；

第二绝缘膜和第二栅极电极，所述第二绝缘膜和所述第二栅极电极形成在所述沟道层的第二面侧上，所述第二面侧与所述源极电极和所述漏极电极接触；以及

第二沟道区域，所述第二沟道区域在所述沟道层和所述第二绝缘膜之间的第二界面上，形成于从所述第二栅极电极与所述沟道层重叠的区域中除去所述源极电极及所述漏极电极与所述沟道层重叠的区域得到的区域，

其中，所述源极电极和所述漏极电极空出间隙地并排设置，

在将所述第一沟道区域的在所述源极电极和所述漏极电极的并排设置方向上的长度设为第一沟道长度、将所述第二沟道区域的在所述并排设置方向上的长度设为第二沟道长度的情况下，

所述第二沟道长度比所述第一沟道长度短，并且

施加于所述第二栅极电极的电位大于或等于所述源极电极和所述漏极电极的电位中的较低电位。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，

所述薄膜晶体管是蚀刻终止型晶体管，其中，所述第二绝缘膜由与所述沟道层的所述第二面侧接触的蚀刻终止膜和与所述蚀刻终止膜的上表面接触的钝化膜组成。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其中，

在沟道长度方向上所述蚀刻终止膜与所述源极电极重叠的长度、以及在所述沟道长度方向上所述蚀刻终止膜与所述漏极电极重叠的长度均大于或等于1.5微米。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其中，

在所述沟道长度方向上所述蚀刻终止膜与所述源极电极重叠的长度比在所述沟道长度方向上所述蚀刻终止膜与所述漏极电极重叠的长度长。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，

所述薄膜晶体管是沟道蚀刻型晶体管，其中，所述第二绝缘膜为与所述沟道层的所述第二面侧接触的钝化膜，以及

所述第二栅极电极的长度比所述源极电极的边缘和所述漏极电极的边缘之间的长度短。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其中，

从所述源极电极的所述边缘和所述漏极电极的所述边缘到所述第二栅极电极的边缘的长度大于或等于1.5微米。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述第一沟道区域的横向宽度比所述第一栅极电极的横向宽度短。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的薄膜晶体管，其中，

沟道宽度小于或等于10微米。

9.一种薄膜晶体管，包括：

依次形成的第一栅极电极、第一绝缘膜、由氧化物半导体组成的沟道层、第二绝缘膜、第二栅极电极、钝化膜、源极电极及漏极电极，

第一沟道区域，在所述第一沟道区域中，在所述沟道层和所述第一绝缘膜之间的第一界面上，所述第一栅极电极和所述沟道层重叠；以及

第二沟道区域，在所述第二沟道区域中，在所述沟道层和所述第二绝缘膜之间的第二界面上，所述第二栅极电极和所述沟道层重叠；

其中，所述源极电极和所述漏极电极与不包括所述第二沟道区域的沟道层区域接触并空出间隙并排设置，

在将所述第一沟道区域的在所述源极电极和所述漏极电极的并排设置方向上的长度设为第一沟道长度、所述第二沟道区域的在所述并排设置方向上的长度设为第二沟道长度的情况下，

所述第二沟道长度比所述第一沟道长度长，并且

对所述第一栅极电极施加的电位大于或等于所述源极电极和所述漏极电极的电位中的较低电位。