[发明专利]经过附加处理的热引导沟槽有效
| 申请号： | 201711186765.9 | 申请日： | 2017-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN108122868B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | B·S·库克;A·维诺戈帕;L·哥伦布;R·R·多林 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/373;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐东升;赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及经过附加处理的热引导沟槽，其中公开了一种集成电路(100)，其具有包括半导体材料(104)的衬底(102)以及设置在衬底(102)之上的互连区(106)。该集成电路(100)包括衬底(102)中的热引导沟槽(130)。热引导沟槽(130)包括其中相邻纳米颗粒(135)彼此粘附的粘附纳米颗粒膜(134)。热引导沟槽(130)具有比接触热引导沟槽(130)的半导体材料(104)更高的热导率。粘附纳米颗粒膜(134)通过附加工艺来形成。 | ||
| 搜索关键词： | 经过 附加 处理 引导 沟槽 | ||
【主权项】：
一种集成电路，其包括：衬底，其包括半导体材料；互连区，其设置在所述衬底之上；产热部件，其设置在所述衬底中；以及热引导沟槽，其设置在所述衬底中，其中所述热引导沟槽被定位成邻近所述产热部件，所述热引导沟槽包括粘附纳米颗粒膜，所述粘附纳米颗粒膜包括纳米颗粒，其中相邻的纳米颗粒彼此粘附，并且其中所述热引导沟槽具有比接触所述热引导沟槽的所述半导体材料更高的热导率。
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