[发明专利]光束成像装置

摘要

本发明公开了一种光束成像装置，包括：衬底层、图形层、钝化层和电极层，所述衬底层包括底层和表层，所述图形层位于所述衬底层的所述表层的上方，所述图形层包括底层和表层，所述底层为禁带宽度不小于2.3eV，所述表层为禁带宽度不小于2.3eV且折射率不高于所述底层；所述电极层位于所述图形层的所述表层的上方，所述电极层包括正电极和负电极，所述正电极和所述负电极分别与所述图形层的所述表层相接触；所述电极层为电阻率不大于5×10‑7Ω·m且与所述图形层的接触势垒不大于1.5eV的具有低电阻率和低接触势垒的金属、合金或金属/氧化物复合材料。本发明具有如下优点：可以实现低成本、低传输损耗、高稳定性和高均匀性的成像过程。

主权项

1.一种光束成像装置，该装置包括衬底层、图形层、钝化层和电极层，其特征在于，所述衬底层包括底层和表层，所述图形层位于所述衬底层的所述表层的上方，所述图形层包括底层和表层，所述衬底层的所述底层为半导体或绝缘体材料，所述衬底层的所述表层为禁带宽度不小于2.3eV且折射率不高于所述图形层的所述底层的折射率的低折射宽禁带材料，所述图形层由图形单元构成，所述图形层的所述底层为禁带宽度不小于2.3eV且折射率高于2.3的高折射宽禁带半导体材料，所述图形层的所述表层为禁带宽度不小于2.3eV且折射率不高于所述图形层的所述底层的折射率的低折射宽禁带材料，所述钝化层位于所述图形层的所述表层的上方，所述钝化层为禁带宽度不小于2.3eV且折射率不高于所述图形层的所述表层的折射率的低折射宽禁带材料，所述电极层位于所述图形层的所述表层的上方，所述电极层包括正电极和负电极，所述正电极和所述负电极分别与所述图形层的所述表层相接触，所述电极层为电阻率不大于5×10^‑7Ω·m且与所述图形层的接触势垒不大于1.5eV的具有低电阻率和低接触势垒的金属、合金或金属/氧化物复合材料。