[发明专利]光束成像装置

权利要求书

1.一种光束成像装置，该装置包括衬底层、图形层、钝化层和电极层，其特征在于，所述衬底层包括底层和表层，所述图形层位于所述衬底层的所述表层的上方，所述图形层包括底层和表层，所述衬底层的所述底层为半导体或绝缘体材料，所述衬底层的所述表层为禁带宽度不小于2.3eV且折射率不高于所述图形层的所述底层的折射率的低折射宽禁带材料，所述图形层由图形单元构成，所述图形层的所述底层为禁带宽度不小于2.3eV且折射率高于2.3的高折射宽禁带半导体材料，所述图形层的所述表层为禁带宽度不小于2.3eV且折射率不高于所述图形层的所述底层的折射率的低折射宽禁带材料，所述钝化层位于所述图形层的所述表层的上方，所述钝化层为禁带宽度不小于2.3eV且折射率不高于所述图形层的所述表层的折射率的低折射宽禁带材料，所述电极层位于所述图形层的所述表层的上方，所述电极层包括正电极和负电极，所述正电极和所述负电极分别与所述图形层的所述表层相接触，所述电极层为电阻率不大于5×10-7Ω·m且与所述图形层的接触势垒不大于1.5eV的具有低电阻率和低接触势垒的金属、合金或金属/氧化物复合材料。

2.根据权利要求1所述的光束成像装置，其特征在于，

所述衬底层的所述底层包括但不限于Si、SiO2和Al2O3材料。

3.根据权利要求1所述的光束成像装置，其特征在于，所述衬底层的所述底层的厚度为0.1mm-10mm。

4.根据权利要求1所述的光束成像装置，其特征在于，所述衬底层的所述表层包括但不限于ZnS、AlP、GaP、SiC、GaN、AlN、TiO2、ZnO和ITO材料。

5.根据权利要求1所述的光束成像装置，其特征在于，所述衬底层的所述表层的厚度为300nm-3000nm。

6.根据权利要求1所述的光束成像装置，其特征在于，所述图形层的所述底层的图形单元为长方体，该长方体的厚度为5nm-500nm，宽度为5nm-1000nm，长度没有限制。

7.根据权利要求1所述的光束成像装置，其特征在于，所述图形层的所述底层的图形单元的间距为5nm-1000nm。

8.根据权利要求1所述的光束成像装置，其特征在于，所述图形层的所述表层包括但不限于ZnS、AlP、GaP、SiC、GaN、AlN、TiO2、ZnO和ITO材料。

9.根据权利要求1所述的光束成像装置，其特征在于，所述图形层的所述表层的图形单元为长方体或圆柱。

10.根据权利要求1所述的光束成像装置，其特征在于，所述图形层的所述表层的厚度为5nm-1000nm。

11.根据权利要求9所述的光束成像装置，其特征在于，所述图形层的所述表层的图形单元为长方体，所述长方体的宽度为5nm-1000nm，长度没有限制。

12.根据权利要求9所述的束成像装置，其特征在于，所述图形层的所述表层的图形单元为圆柱体，所述圆柱直径为5nm-1000nm。

13.根据权利要求1所述的光束成像装置，其特征在于，所述图形层的所述表层的图形单元的间距为5nm-1000nm。

14.根据权利要求1所述的光束成像装置，其特征在于，所述钝化层包括但不限于Si、SiO2和Al2O3材料。

15.根据权利要求1所述的光束成像装置，其特征在于，所述钝化层的厚度为5nm-3000nm。

16.根据权利要求1所述的光束成像装置，其特征在于，所述电极层包括但不限于Ag、Cu、Au、Al、Pt、Ni、Cr、Ti和ITO材料。

17.根据权利要求1所述的光束成像装置，其特征在于，所述电极层的厚度为5nm-500nm。