[发明专利]一种量子阱耦合增强型ZnO基发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201711184437.5 | 申请日： | 2017-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN108075018A | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 苏龙兴;王玉超;刘剑锋;赵宇;何孝港;马忠权;刘伟;杨勇;赵亿军 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军63791部队 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 陈卫 |
| 地址： | 615000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种量子阱耦合增强型ZnO基发光二极管及其制备方法。所述量子阱耦合增强型ZnO基发光二极管从下往上依次包括衬底层、缓冲层、n型ZnO层、CdxZn1‑xO/ZnO多量子阱层、p型ZnO层，还包括在p型ZnO层和n型ZnO层上的金属接触电极；其中多量子阱层中阱层由具有Cd组份周期锯齿状变化的CdxZn1‑xO组成，垒层由ZnO组成。本发明所提供的量子阱耦合增强型ZnO基发光二极管具有开启电压较低、发光主波长可调、内量子效率高、同尺寸器件平均发光功率比非耦合增强型器件高的优点；该发光二极管在照明、手机背光源、车头灯、植物培育等方面具有很好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 耦合增强 量子阱 多量子阱层 制备 金属接触电极 发光二极管 内量子效率 手机背光源 增强型器件 尺寸器件 发光功率 开启电压 植物培育 周期锯齿 车头灯 衬底层 非耦合 缓冲层 主波长 可调 垒层 组份 阱层 发光 应用 | ||
【主权项】：
1.一种量子阱耦合增强型ZnO基发光二极管，其特征在于，从下往上依次包括衬底层、缓冲层、n型ZnO层、Cdx Zn1-x O/ZnO多量子阱层、p型ZnO层，还包括在p型ZnO层和n型ZnO层上的金属接触电极；其中多量子阱层中阱层由具有Cd组份周期锯齿状变化的Cdx Zn1-x O组成，垒层由ZnO组成。
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