[发明专利]3D NAND存储器源极选择管及其形成方法

摘要

本发明提出一种3D NAND存储器中源极选择管及其形成方法，包括：在沉积的第一对堆叠层淀积硬掩膜层，并刻蚀形成深孔，淀积无掺杂多晶硅填充深孔，去除多余的多晶硅,并进行硼的离子注入；除去氮化硅硬掩膜层，淀积第一对堆叠层中剩余的氧化硅，并继续淀积多对堆叠层；对形成的多对堆叠层刻蚀形成多个孔；在形成的多个孔中淀积以形成多晶硅沟道；在沟道中淀积无定型硅，退火形成多晶硅，离子注入后形成漏端接触；堆叠层氮化硅经过湿法刻蚀后，对源极多晶通过热氧化形成源极选择管氧化层，最后淀积金属钨形成栅极接触。本方法的形成过程利于减少3D NAND工艺中的高温制程，从而避免热量累积对器件性能的影响。

主权项

1.一种3D NAND存储器源极选择管形成方法，包括如下步骤：步骤1：在硅衬底上依次沉积氧化硅层、氮化硅层、氧化硅层，形成第一对堆叠层；步骤2：在所形成的第一对堆叠层上淀积氮化硅做硬掩膜层；步骤3：形成光阻，并刻蚀上述堆叠层形成深孔；步骤4：淀积无掺杂多晶硅填充所形成的深孔，该多晶硅层覆盖硬掩膜层；步骤5：去除多余的多晶硅,并进行硼的离子注入；步骤6：除去氮化硅硬掩膜层；步骤7：淀积第一对堆叠层中剩余的氧化硅，覆盖之前形成的氧化硅层以及多晶硅层；步骤8：继续淀积多对氮化硅、氧化硅堆叠层；步骤9：对形成的多对堆叠层刻蚀至步骤5形成的多晶硅层，形成多个孔；步骤10：在形成的多个孔中淀积形成存储器隧穿层，存储层及阻挡层，以及形成多晶硅沟道；步骤11：在沟道中淀积无定型硅，退火形成多晶硅，离子注入后形成漏端接触；堆叠层氮化硅经过湿法刻蚀后，对源极多晶通过热氧化形成源极选择管氧化层，最后淀积金属钨形成栅极接触。