[发明专利]一种用于精确定位大尺寸器件的小缺陷失效地址的方法在审
| 申请号： | 201711182111.9 | 申请日： | 2017-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN108010556A | 公开（公告）日： | 2018-05-08 |
| 发明（设计）人： | 周莹;张顺勇;卢勤 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C29/08 | 分类号： | G11C29/08 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于精确定位大尺寸器件的小缺陷失效地址的方法，所述方法包括如下步骤：步骤一，将有缺陷的样品处理到钨栓塞层，使用扫描电镜观察存在缺陷的区域器件表面结构；步骤二，扫描电镜记录大尺寸器件栅极/源极/漏极/衬底的表面电压衬度；步骤三，使用纳米点针台对大尺寸器件栅极和源极/漏极的两端进行电流量测，得到测量电流数据；步骤四，通过对比各测量电流数据，取电流最大的一组作为存在小缺陷失效地址。本发明用于精确定位大尺寸器件的小缺陷失效地址的新方法，能够克服传统分析方法在含有小缺陷的大尺寸器件精确定位中的困难，使得小缺陷的大尺寸器件失效位置的定位更加精确，便捷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 精确 定位 尺寸 器件 缺陷 失效 地址 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于精确定位大尺寸器件的小缺陷失效地址的方法，其特征是，包含以下步骤：步骤一，将有缺陷的样品处理到钨栓塞层，使用扫描电镜观察存在缺陷的区域器件表面结构；步骤二，扫描电镜记录大尺寸器件栅极/源极/漏极/衬底的表面电压衬度；步骤三，使用纳米点针台对大尺寸器件栅极和源极/漏极的两端进行电流量测，得到测量电流数据；步骤四，通过对比各测量电流数据，取电流最大的一组作为存在小缺陷失效地址。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711182111.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
