[发明专利]一种用于精确定位大尺寸器件的小缺陷失效地址的方法

权利要求书

1.一种用于精确定位大尺寸器件的小缺陷失效地址的方法，其特征是，包含以下步骤：

步骤一，将有缺陷的样品处理到钨栓塞层，使用扫描电镜观察存在缺陷的区域器件表面结构；

步骤二，扫描电镜记录大尺寸器件栅极/源极/漏极/衬底的表面电压衬度；

步骤三，使用纳米点针台对大尺寸器件栅极和源极/漏极的两端进行电流量测，得到测量电流数据；

步骤四，通过对比各测量电流数据，取电流最大的一组作为存在小缺陷失效地址。

2.根据权利要求1所述的一种用于精确定位大尺寸器件的小缺陷失效地址的方法，其特征是：

其中，所述将有缺陷的样品处理到钨栓塞层包括如下过程：

使用反应离子刻蚀机将所述样品从上表面进行处理，去除样品上表面的钝化层；

使用硝酸和盐酸去除所述样品中的金属层；

使用研磨方法去除氧化层。

3.根据权利要求2所述的一种用于精确定位大尺寸器件的小缺陷失效地址的方法，其特征是：

所述研磨方法为化学机械研磨法。

4.根据权利要求1所述的一种用于精确定位大尺寸器件的小缺陷失效地址的方法，其特征是：

所述栅极具有亮电压衬度。

5.根据权利要求1所述的一种用于精确定位大尺寸器件的小缺陷失效地址的方法，其特征是：

所述电流量测的过程如下：将纳米点针台的一端点针扎在栅极端对应的钨栓塞上，另一端点针扎在源极或漏极对应的每一个钨栓塞上，测试其一一对应的电流数据。

6.根据权利要求1所述的一种用于精确定位大尺寸器件的小缺陷失效地址的方法，其特征是：

所述方法进一步包括如下步骤：

步骤五，通过聚焦离子束将所述失效地址切截面制成超薄样品，然后通过透射电子显微镜观察失效缺陷。

7.根据权利要求1所述的一种用于精确定位大尺寸器件的小缺陷失效地址的方法，其特征是：

所述纳米点针台的点针的接触阻值小于200欧姆。