[发明专利]半导体器件及制造其的方法

摘要

本发明涉及半导体器件及制造其的方法。提供一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底，其包括包含第一区域和第二区域的单元区域以及比邻近第一区域更邻近第二区域的周边区域；分别设置在第一区域和第二区域中的第一下电极和第二下电极；分别设置在第一下电极和第二下电极的外壁上的第一下支撑图案和第二下支撑图案；上支撑图案，其设置在第一下电极和第二下电极的外壁上，并且在第一下支撑图案和第二下支撑图案上且与第一下支撑图案和第二下支撑图案间隔开；电介质层，其设置在第一下电极和第二下电极、第一下支撑图案和第二下支撑图案以及上支撑图案的表面上；以及上电极，其设置在电介质层的表面上，其中第一下支撑图案的厚度小于第二下支撑图案的厚度。

主权项

1.一种半导体器件，包括：衬底，其包括包含第一区域和第二区域的单元区域以及比邻近于所述第一区域更邻近于所述第二区域的周边区域；分别设置在所述第一区域和所述第二区域中的第一下电极和第二下电极；分别设置在所述第一下电极和所述第二下电极的外壁上的第一下支撑图案和第二下支撑图案；上支撑图案，其设置在所述第一下电极和所述第二下电极的外壁上，并且在所述第一下支撑图案和所述第二下支撑图案上且与所述第一下支撑图案和所述第二下支撑图案间隔开；电介质层，其设置在所述第一下电极和所述第二下电极、所述第一下支撑图案和所述第二下支撑图案、以及所述上支撑图案的表面上；以及上电极，其设置在所述电介质层的表面上，其中所述第一下支撑图案的厚度小于所述第二下支撑图案的厚度。