[发明专利]半导体器件及制造其的方法

说明书

本发明涉及半导体器件及制造其的方法。提供一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底，其包括包含第一区域和第二区域的单元区域以及比邻近第一区域更邻近第二区域的周边区域；分别设置在第一区域和第二区域中的第一下电极和第二下电极；分别设置在第一下电极和第二下电极的外壁上的第一下支撑图案和第二下支撑图案；上支撑图案，其设置在第一下电极和第二下电极的外壁上，并且在第一下支撑图案和第二下支撑图案上且与第一下支撑图案和第二下支撑图案间隔开；电介质层，其设置在第一下电极和第二下电极、第一下支撑图案和第二下支撑图案以及上支撑图案的表面上；以及上电极，其设置在电介质层的表面上，其中第一下支撑图案的厚度小于第二下支撑图案的厚度。

技术领域

本发明构思总体上涉及半导体器件及制造其的方法。更具体地，本发明构思涉及具有增大的电容而没有断裂风险的半导体器件以及制造其的方法。

背景技术

近来，为了满足对诸如动态随机存取存储器(DRAM)器件和静态随机存取存储器(SRAM)器件的半导体器件中更大存储容量和更高集成度的需求，单元尺寸和设计规则已不断地缩小。此外，为了使DRAM器件工作，每个单元需要一定水平或以上的电容。因此，已经对利用具有高介电常数的电介质层用于电容器的方法、或增大电容器的下电极与电介质层之间的接触面积的方法进行了研究。

为了提供一定水平或以上的电容，已经研究了具有高的高宽比的下电极。随着下电极的高宽比增加，在去除模制层的工艺(例如浸出(dip-out)工艺)期间经常发生下电极的倾斜或弯曲。为了解决这样的问题，已经引入了提供有用于连接相邻下电极的支撑图案的电容器。

发明内容

本发明构思的一方面提供具有增大的电容而没有断裂风险的半导体器件。

本发明构思的另一方面提供制造其中电容增大而没有断裂风险的半导体器件的方法。

本发明构思的方面不限于上述的那些，并且未提及的其它方面将由下面的描述被本领域技术人员清楚地理解。

根据本发明构思的一方面，提供一种半导体器件，其包括：衬底，其包括包含第一区域和第二区域的单元区域以及比邻近于第一区域更邻近于第二区域的周边区域；分别设置在第一区域和第二区域中的第一下电极和第二下电极；分别设置在第一下电极和第二下电极的外壁上的第一下支撑图案和第二下支撑图案；上支撑图案，其设置在第一下电极和第二下电极的外壁上，并且在第一下支撑图案和第二下支撑图案上并与第一下支撑图案和第二下支撑图案间隔开；电介质层，其设置在第一下电极和第二下电极、第一下支撑图案和第二下支撑图案以及上支撑图案的表面上；以及上电极，其设置在电介质层的表面上，其中第一下支撑图案的厚度小于第二下支撑图案的厚度。

根据本发明构思的另一方面，提供一种半导体器件，其包括：衬底，其包括包含第一区域和第二区域的单元区域以及比邻近于第一区域更邻近于第二区域的周边区域；下电极，其设置在单元区域中并在与衬底交叉的第一方向上延伸；下支撑图案，其设置在下电极的外壁上；上支撑图案，其设置在下电极的外壁上，并且在第一方向上在下支撑图案上且与下支撑图案间隔开；电介质层，其设置在下电极、下支撑图案和上支撑图案的表面上；以及分别设置在第一区域和第二区域的电介质层的表面上的第一上电极和第二上电极，其中在下支撑图案与上支撑图案之间在第一方向上延伸的第一上电极的长度大于在下支撑图案与上支撑图案之间在第一方向上延伸的第二上电极的长度。