[发明专利]半导体器件及制造其的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底，其包括包含第一区域和第二区域的单元区域以及比邻近于所述第一区域更邻近于所述第二区域的周边区域；

分别设置在所述第一区域和所述第二区域中的第一下电极和第二下电极；

分别设置在所述第一下电极和所述第二下电极的外壁上的第一下支撑图案和第二下支撑图案；

上支撑图案，其设置在所述第一下电极和所述第二下电极的外壁上，并且在所述第一下支撑图案和所述第二下支撑图案上且与所述第一下支撑图案和所述第二下支撑图案间隔开；

电介质层，其设置在所述第一下电极和所述第二下电极、所述第一下支撑图案和所述第二下支撑图案、以及所述上支撑图案的表面上；以及

上电极，其设置在所述电介质层的表面上，

其中所述第一下支撑图案的厚度小于所述第二下支撑图案的厚度，所述第一下支撑图案的所述厚度和所述第二下支撑图案的所述厚度分别是所述第一下支撑图案和所述第二下支撑图案在所述衬底的厚度方向上的厚度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一下支撑图案的下表面和所述第二下支撑图案的下表面设置在基本上相同的平面上。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述上支撑图案包括第一开口，所述第一下支撑图案包括第二开口，所述第二开口具有从所述第一开口传递的形状。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中随着所述第一下支撑图案的厚度测量位置远离所述第二开口，所述第一下支撑图案的所述厚度增加。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二下支撑图案的所述厚度为250Å至300Å。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述第一下支撑图案的所述厚度为80Å至200Å。

7. 根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第三下电极，其设置在所述第二区域中，并且与所述第二下电极相比，更远地与所述第一区域间隔开；以及

第三下支撑图案，其设置在所述第三下电极的外壁上，

其中所述第三下支撑图案的厚度大于所述第二下支撑图案的所述厚度。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述上支撑图案的上表面和所述第一下电极和所述第二下电极的上表面设置在基本上相同的平面上。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

单位有源区，其设置在所述衬底中，并包括第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；

字线，其设置在所述第一源极/漏极区与所述第二源极/漏极区之间；以及

分别电连接到所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区的第一接触插塞和第二接触插塞，

其中所述第一接触插塞电连接到位线，以及

所述第二接触插塞电连接到所述第一下电极。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中多个第一下电极和多个第二下电极的每个设置在所述衬底上，并且所述多个第一下电极和所述多个第二下电极布置成蜂窝状的形式。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一下电极和所述第二下电极具有圆筒形状。