[发明专利]一种795nm超窄线宽外腔半导体激光器在审
| 申请号： | 201711173878.5 | 申请日： | 2017-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN107809056A | 公开（公告）日： | 2018-03-16 |
| 发明（设计）人： | 刘兴宇;邵志强;孙权;桂勇雷;崔洪亮;邓崇杰 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十九研究所 |
| 主分类号： | H01S5/14 | 分类号： | H01S5/14;H01S5/06 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所23109 | 代理人： | 贾泽纯 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种795nm超窄线宽外腔半导体激光器，本发明涉及一种半导体激光器。本发明要解决现有激光器难以满足单模、高功率、高光束质量、窄线宽、高相干、波长可调谐的问题。一种795nm超窄线宽外腔半导体激光器由半导体激光器增益芯片、准直透镜、双折射滤波器、法布里‑珀罗标准具及输出耦合镜组成；所述的半导体激光器增益芯片的出光方向上依次设有准直透镜、双折射滤波器、法布里‑珀罗标准具及输出耦合镜；所述的半导体激光器增益芯片的发射波长为795nm；所述的半导体激光器增益芯片包括DBR反射镜、增益区及窗口层。其可以输出满足应用要求的窄线宽激光，且波长线性连续可调，满足单模、高功率、高光束质量及高相干。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 795 nm 超窄线宽外腔 半导体激光器 | ||
【主权项】：
一种795nm超窄线宽外腔半导体激光器，其特征在于一种795nm超窄线宽外腔半导体激光器由半导体激光器增益芯片(1)、准直透镜(2)、双折射滤波器(3)、法布里‑珀罗标准具(4)及输出耦合镜(5)组成；所述的半导体激光器增益芯片(1)的出光方向上依次设有准直透镜(2)、双折射滤波器(3)、法布里‑珀罗标准具(4)及输出耦合镜(5)；所述的半导体激光器增益芯片(1)的发射波长为795nm；所述的半导体激光器增益芯片(1)包括DBR反射镜(6)、增益区(7)及窗口层(8)。
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型曲线，
型曲线的极坐标方程为
式中：
为极径，
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- 刘兴宇;邵志强;孙权;桂勇雷;崔洪亮;邓崇杰 - 中国电子科技集团公司第四十九研究所
- 2017-11-22 - 2018-03-16 - H01S5/14
- 一种795nm超窄线宽外腔半导体激光器，本发明涉及一种半导体激光器。本发明要解决现有激光器难以满足单模、高功率、高光束质量、窄线宽、高相干、波长可调谐的问题。一种795nm超窄线宽外腔半导体激光器由半导体激光器增益芯片、准直透镜、双折射滤波器、法布里‑珀罗标准具及输出耦合镜组成；所述的半导体激光器增益芯片的出光方向上依次设有准直透镜、双折射滤波器、法布里‑珀罗标准具及输出耦合镜；所述的半导体激光器增益芯片的发射波长为795nm；所述的半导体激光器增益芯片包括DBR反射镜、增益区及窗口层。其可以输出满足应用要求的窄线宽激光，且波长线性连续可调，满足单模、高功率、高光束质量及高相干。
- 一种新型外腔半导体激光器-201710999608.3
- 蔡志坚;周红武 - 苏州朝光光电有限公司
- 2017-10-24 - 2018-01-26 - H01S5/14
- 本发明公开了一种新型外腔半导体激光器，其包括半导体激光器、激光准直装置和直角棱镜，直角棱镜包括斜面和两直角面，其中一直角面为光栅面，另一直角面为反射面，半导体激光器发出的激光经过激光准直装置后准直，准直后的激光由斜面入射至直角棱镜，并在光栅面发生衍射，产生的0级衍射光从直角棱镜出射，产生的‑1级衍射光由激光准直装置进入半导体激光器的谐振腔。本发明的新型外腔半导体激光器利用直角棱镜入射光与反射光平行的原理，确保光栅的‑1级衍射光能够长时间稳定的返回至半导体激光器的谐振腔内，大幅降低了外腔半导体激光器对准直透镜以及光栅稳定性的要求，解决了外腔半导体激光器波长锁定稳定性的问题。
- 一种灵活波长的窄线宽半导体外腔激光器及控制方法-201711021910.8
- 汤学胜;翟宇佳;李迪;陈宏刚 - 武汉光迅科技股份有限公司
- 2017-10-27 - 2018-01-19 - H01S5/14
- 本发明涉及一种半导体外腔激光器及控制方法，属于光通信技术领域，具体是涉及一种灵活波长的窄线宽半导体外腔激光器及控制方。该激光器及控制方法采用两种常用的光学选频器组合成超窄的滤波器作为外腔的选频元件，保证了窄线宽激光器长期单频运转；调整各个光学选频器的入射角，可实现波长灵活输出。
- 激光器阵列相干器及其制备方法-201410508727.0
- 陈泳屹;秦莉;王立军;宁永强;刘云;佟存柱 - 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
- 2014-09-26 - 2017-10-27 - H01S5/14
- 激光器阵列相干器及其制备方法属于激光相干耦合技术领域，目的在于解决现有技术存在的激光器阵列相干性差、稳定性差、功率低和成本高的问题。本发明由光子桥连接的二维衍射光子晶体组成的阵列，以及在最外围制备的光子反射器。激光器阵列相干器的制备方法，首先给出部件具体位置；其次，用光刻以及刻蚀方法制备光子桥和出光面；再次，通过刻蚀或生长技术制备二维衍射光子晶体，通过刻蚀方法制作光子反射器；最后，进行化学处理、或者制作保护层、或者制备电极、或者进行二次外延继续制备激光阵列芯片。本发明可以实现激光器阵列的发光单元之间的光子相互注入，从而实现光学相干。
- 激光装置、光调制装置以及光半导体元件-201380070494.4
- 高林和雅 - 富士通株式会社
- 2013-01-28 - 2017-09-22 - H01S5/14
- 本发明涉及激光装置、光调制装置以及光半导体元件。具有由化合物半导体材料形成的光半导体元件和包括光导波路的波长选择反射元件的激光装置的特征在于，上述光半导体元件具有第一增益导波路；第二增益导波路；DBR导波路，其形成于上述第一增益导波路与上述第二增益导波路之间；第一电极，其使电流流过上述第一增益导波路；以及第二电极，其使电流流过上述第二增益导波路，并且，在连接有上述第二增益导波路的元件端面形成有防反射膜，上述波长选择反射元件中的上述光导波路反射入射的光中规定波长的光，具有激光谐振器，其中，上述第一增益导波路和上述波长选择反射元件光学耦合，将上述第一增益导波路作为增益介质，由上述DBR导波路和上述波长选择反射元件形成。
- 基于外腔式自反馈的窄线宽半导体激光器-201710530248.2
- 李召松;陆丹;贺一鸣;王嘉琪;周旭亮;潘教青 - 中国科学院半导体研究所
- 2017-06-30 - 2017-09-19 - H01S5/14
- 本发明公开了一种外腔式自反馈窄线宽半导体激光器，包括一半导体增益芯片，用于产生光增益；一布拉格光纤光栅，布拉格光纤光栅与增益芯片之间通过直接耦合的方式连接，用于对增益芯片产生的光进行反馈；一光分束器，用于对光进行一定比例的分束；一光环形器，光环形器与布拉格光纤光栅或光分束器通过光纤耦合的方式连接，用于对从布拉格光纤光栅输出的光进行外部自反馈；一可调谐光衰减器，位于光环形器的反馈环路内，用于对反馈强度的衰减进行连续调谐。
- 专利分类
- 一种海洋探测用395nm532nm636nm790nm1064nm七波长激光器
- 一种海洋探测用435nm533nm661nm870nm1064nm七波长激光器
- 一种海洋探测用500nm533nm695nm1000nm1064nm七波长激光器
- 一种海洋探测用510nm533nm700nm1020nm1064nm七波长激光器
- 一种海洋探测用485nm533nm687nm970nm1064nm七波长激光器
- 一种海洋探测用520nm515nm689nm1040nm1030nm七波长激光器
- 一种海洋探测用552nm515nm702nm1104nm1030nm七波长激光器
- 一种海洋探测用604nm515nm722nm1208nm1030nm七波长激光器
- 一种海洋探测用600nm515nm720nm1200nm1030nm七波长激光器
- 一种海洋探测用612nm515nm725nm1224nm1030nm七波长激光器
