[发明专利]一种太阳能电池的制备方法在审
| 申请号： | 201711171520.9 | 申请日： | 2017-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN107731965A | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 孙兴宁 | 申请（专利权）人： | 奕铭（大连）科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 盘锦大工智讯专利代理事务所(特殊普通合伙)21244 | 代理人： | 徐淑东,崔雪 |
| 地址： | 116000 辽宁省大*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种太阳能电池的制备方法，包括对硅片进行清洗、去损和制绒工艺；对硅片的背光面进行抛光处理，对的硅片的受光面进行离子注入；对硅片的背光面进行硼扩散；所述硼扩散采用三溴化硼液态源扩散法，先在900‑1000℃下通氧沉积三溴化硼20‑60分钟，之后不通源在氧气氛下推进10‑60分钟，然后降温到800‑900℃氧化至少30分钟，在硅片的背光面生长氧化层；所述氧化层的厚度至少为20纳米；在硅片的背光面形成钝化层，在硅片的受光面形成减反膜；在硅片的背光面印刷铝电极，在受光面印刷银电极；将所述铝电极和银电极进行共烧结，以形成金属化接触。本发明能够提高太阳能电池的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下过程：(1)对硅片进行清洗、去损和制绒工艺；(2)对硅片的背光面进行抛光处理，对的硅片的受光面进行离子注入；(3)对硅片的背光面进行硼扩散；所述硼扩散采用三溴化硼液态源扩散法，先在900‑1000℃下通氧沉积三溴化硼20‑60分钟，之后不通源在氧气氛下推进10‑60分钟，然后降温到800‑900℃氧化至少30分钟，在硅片的背光面生长氧化层；所述氧化层的厚度至少为20纳米；(4)在硅片的背光面形成钝化层，在硅片的受光面形成减反膜；(5)在硅片的背光面印刷铝电极，在受光面印刷银电极；将所述铝电极和银电极进行共烧结，以形成金属化接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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