[发明专利]一种太阳能电池的制备方法在审
申请号: | 201711171520.9 | 申请日: | 2017-11-22 |
公开(公告)号: | CN107731965A | 公开(公告)日: | 2018-02-23 |
发明(设计)人: | 孙兴宁 | 申请(专利权)人: | 奕铭(大连)科技发展有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 盘锦大工智讯专利代理事务所(特殊普通合伙)21244 | 代理人: | 徐淑东,崔雪 |
地址: | 116000 辽宁省大*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 制备 方法 | ||
1.一种太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括以下过程:
(1)对硅片进行清洗、去损和制绒工艺;
(2)对硅片的背光面进行抛光处理,对的硅片的受光面进行离子注入;
(3)对硅片的背光面进行硼扩散;所述硼扩散采用三溴化硼液态源扩散法,先在900-1000℃下通氧沉积三溴化硼20-60分钟,之后不通源在氧气氛下推进10-60分钟,然后降温到800-900℃氧化至少30分钟,在硅片的背光面生长氧化层;所述氧化层的厚度至少为20纳米;
(4)在硅片的背光面形成钝化层,在硅片的受光面形成减反膜;
(5)在硅片的背光面印刷铝电极,在受光面印刷银电极;将所述铝电极和银电极进行共烧结,以形成金属化接触。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述硅片包括单晶硅片和多晶硅片。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述在硅片的背光面形成钝化层,在硅片的受光面形成减反膜,包括:
在硅片的表面形成氧化硅钝化层;
在硅片的背光面形成氧化铝钝化层;
在硅片的背光面形成氮化硅钝化层;
在硅片的受光面形成氮化硅减反膜。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述离子注入的元素为磷元素。
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