[发明专利]一种SONO刻蚀中负载效应影响的减轻方法

摘要

本发明提供了一种SONO刻蚀负载效应影响的减轻方法，采用干法刻蚀的工艺，对于栅极线区域多余的氮化硅牺牲介质层进行了选择性的刻蚀，这样就能够有效的消除由于负载效应(Loading Effect)所造成的栅极线区域(GL Area)和沟道核心区域(CH Core Area)之间存在的高度差；而由于栅极线区域(GL Area)和沟道核心区域(CH Core Area)之间高度差的减少甚至消除，就能够避免最终插塞多晶硅在沟道核心区域不必要的残留，从而提高沟道结构的性能，进而提高3D NAND闪存的整体性能。

主权项

一种减轻SONO刻蚀负载效应的方法，包括以下步骤：沉积形成沟道侧壁堆叠结构，所述沟道侧壁堆叠结构包括SONO结构；刻蚀所述沟道侧壁堆叠结构；填充插塞氧化物；平坦化所述插塞氧化物以露出栅极线区域的牺牲介质层；对所述栅极线区域的牺牲介质层进行选择性刻蚀；回刻所述插塞氧化物以形成多晶硅沉积沟道；在所述多晶硅沉积沟道中沉积插塞多晶硅；平坦化所述插塞多晶硅并露出牺牲介质层。