[发明专利]一种SONO刻蚀中负载效应影响的减轻方法

权利要求书

1.一种减轻SONO刻蚀负载效应的方法，包括以下步骤：

沉积形成沟道侧壁堆叠结构，所述沟道侧壁堆叠结构包括SONO结构；

刻蚀所述沟道侧壁堆叠结构；

填充插塞氧化物；

平坦化所述插塞氧化物以露出栅极线区域的牺牲介质层；

对所述栅极线区域的牺牲介质层进行选择性刻蚀，使得栅极线区域的高度与沟道核心区域的高度基本相同；

所述对所述栅极线区域的牺牲介质层进行选择性刻蚀，是采用干法刻蚀工艺(DryEtch)；

回刻所述插塞氧化物以形成多晶硅沉积沟道；

在所述多晶硅沉积沟道中沉积插塞多晶硅；

平坦化所述插塞多晶硅并露出牺牲介质层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

在所述沉积形成沟道侧壁堆叠结构的步骤前，还包括，沉积衬底堆叠结构、刻蚀衬底堆叠结构、形成硅外延层的步骤。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：

所述沉积衬底堆叠结构，具体为，提供衬底，所述衬底表面形成有多层交错堆叠的层间介质层及牺牲介质层，所述牺牲介质层形成于相邻的层间介质层之间；所述层间介质层为氧化硅层，所述牺牲介质层为氮化硅层，从而形成O/N堆叠结构(O/N Stacks)。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：

所述刻蚀衬底堆叠结构，具体为，刻蚀所述层间介质层及牺牲介质层以形成沟道，所述沟道通至所述衬底并形成一定深度的、用于生长硅外延层的第一硅槽。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：

所述形成沟道侧壁堆叠结构，具体为，首先，在所述沟道的侧壁及硅外延层的表面上依次沉积氧化硅/氮化硅/氧化硅/多晶硅，以形成SONO结构；随后，在多晶硅表面再沉积一层帽氧化物层。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：

所述刻蚀步骤中，具体为，沿所述沟道侧壁堆叠结构的底壁向下刻蚀，通至所述硅外延层并形成一定深度的第二硅槽；覆盖所述衬底堆叠结构顶面的所述沟道侧壁堆叠结构同时被去除。

7.根据权利要求1-6任意一项所述的方法，其特征在于：

所述平坦化处理采用化学机械研磨工艺(CMP)。

8.根据权利要求1-6任意一项所述的方法，其特征在于：

所述填充插塞氧化物采用原子层沉积工艺(ALD)。