[发明专利]一种固态荧光碳量子点的制备方法

摘要

本发明提供了一种固态荧光碳量子点的制备方法。具体步骤包括将石英片或者单晶硅片置于丙酮无水乙醇中超声清洗后用去离子水超声冲洗，氮气吹干；在200‑300℃条件下对反应室预抽真空，至压强低于10^‑4Pa；以甲烷为工作气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术在反应室内于石英片或者单晶硅片上制备嵌有碳量子点的薄膜。该方法制备的碳量子点具有工艺简单、效率高、周期短、绿色环保等特点，所生长的碳量子点具有纯度高、粒度小、荧光发光效率高等特性。本发明所制备的荧光碳量子点在医学影像、光致发光材料以及各种半导体发光器件等方面有很好的潜在应用。

主权项

1.一种固态荧光碳量子点的制备方法，以甲烷气体为工作气体制备碳量子点薄膜，其特征在于，包括如下步骤：/n（1）清洗并干燥基板，将石英片或者单晶硅片置于丙酮中超声清洗后去离子水超声冲洗，然后再置于无水乙醇中超声清洗后用去离子水超声冲洗，最后用氮气吹干；/n（2）反应室预抽真空，高温条件下对反应室预抽真空，所述的反应室内温度控制为200-300℃，压强低于10^-4Pa；/n（3）嵌有碳量子点薄膜的制备，以甲烷为工作气体，甲烷的纯度大于99.995%，采用等离子体增强化学气相沉积技术在步骤（2）中的反应室内于石英片或者单晶硅片上制备嵌有碳量子点的薄膜，等离子体增强化学气相沉积的工艺参数为：射频功率：100 W，沉积温度：150℃，沉积压强：90 Pa，甲烷流量：10 sccm，镀膜时间：60分钟。/n